Výsledky vyhledávání
- 1.0519846 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš
Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami.
[Method of producing an epitaxial structure with InGaN quantum wells.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 18.09.2019. Číslo patentu: 308024
Grant CEP: GA TA ČR TH02010580
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN heterostructure * scintillators * detectors
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308024.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304831