Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0567278 - FZÚ 2023 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Buryi, Maksym - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Kuldová, Karla - Vaněk, Tomáš
    Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells.
    Journal of Physics: Conference Series. Vol. 2413. Bristol: IOP Publishing, 2022, č. článku 012001. ISSN 1742-6588.
    [DMSRE seminar: Development of Materials Science in Research and Education (DMSRE) /31./. Nová Lesná (SK), 05.09.2022-09.09.2022]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InGaN/GaN multiple quantum wells * Si doping * luminescence
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2413/1/012001
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0338546
     
     
  2. 2.
    0561007 - FZÚ 2023 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hulicius, Eduard - Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla
    General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design.
    NANOCON 2021 - Conference proceedings. Ostrava: Tanger Ltd., 2021, s. 17-22. ISBN 978-80-88365-00-6. ISSN 2694-930X.
    [International Conference on Nanomaterials - Research & Application /13./ NANOCON. Brno (CZ), 20.10.2021-22.10.2021]
    Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaN devices * HEMT * MOVPE epitaxy * dislocation
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    https://www.confer.cz/nanocon/2021/4309-general-over-view-of-gan-devices-and-transport-properties-of-algan-gan-hemt-structures-impact-of-dislocation-density-and-improved-design
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333759
     
     
  3. 3.
    0549953 - FZÚ 2022 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Buryi, Maksym - Laguta, Valentyn - Babin, Vladimir - Remeš, Zdeněk - Hubáček, Tomáš
    Investigation of GaN thin films by electrically detected magnetic resonance and luminescence techniques.
    Proceedings of ADEPT - ADEPT 2021. Žilina: University of Žilina, 2021 - (Jandura, D.; Maniaková, P.; Lettrichová, I.; Kováč, jr., J.), s. 41-44. ISBN 978-80-554-1806-3.
    [9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies - ADEPT 2021. Podbanské (SK), 20.09.2021-23.09.2021]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: GaN:Si * EPR and EDMR * luminescence
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0325864
     
     
  4. 4.
    0541758 - FZÚ 2022 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Vaněk, Tomáš - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Dominec, Filip - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
    Nanostructured layer enhancing light extraction from GaN-based scintillator using MOVPE.
    Proceedings of the 12th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Ostrava: Tanger Ltd., 2021, s. 12-17. ISBN 978-80-87294-98-7. ISSN 2694-930X.
    [International Conference NANOCON 2020 /12./. Brno (CZ), 21.10.2020-23.10.2020]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * GaN * light extraction * SiNx * scintillator
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0319288
     
     
  5. 5.
    0540792 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Hájek, František
    Nitride multiple quantum well challenge.
    20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 69-70. ISBN 978-80-89855-13-1.
    [Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: nitride semiconductors * GaN * InGaN * quantum wells * luminescence
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318391
     
     
  6. 6.
    0537999 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
    Properties of yellow band in GaN layers.
    20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 149-150. ISBN 978-80-89855-13-1.
    [Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: nitride semiconductors * GaN * luminescence * defects
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315830
     
     
  7. 7.
    0537995 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Oswald, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla
    Nitride semiconductors - properties and applications.
    20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 32-36. ISBN 978-80-89855-13-1.
    [Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: nitride semiconductors * applications * LED * HEMT
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315824
     
     
  8. 8.
    0479307 - FZÚ 2018 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Zíková, Markéta - Rettig, O. - Steiger, N. - Hubáček, Tomáš - Scholz, J.P. - Hocker, M. - Thonke, K. - Li, Y. - Qi, H. - Biskupek, J. - Kaiser, U. - Scholz, F.
    Challenges and technological aspects of boron incorporation into AlGaN and AlN layers prepared by MOVPE.
    EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble, 2017 - (Eymery, J.), s. 67-67
    [EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble (FR), 18.06.2017-21.06.2017]
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) MSM100101603
    Program: Program na podporu mezinárodní spolupráce začínajících výzkumných pracovníků
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * AlGaN * AlBGaN * AlBN * photoluminescence
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275560
     
     
  9. 9.
    0479290 - FZÚ 2018 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hývl, Matěj - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
    MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure.
    EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble, 2017 - (Eymery, J.), s. 114-117
    [EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble (FR), 18.06.2017-21.06.2017]
    Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LO1603
    GRANT EU: European Commission(XE) CZ.2.16/3.1.00/24510
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * nitrides * scintillator * quantum well
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    http://inac.cea.fr/en/Phocea/Page/index.php?id=215&ref=193
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275558
     
     
  10. 10.
    0477154 - FZÚ 2018 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Brůža, P. - Pánek, D. - Blažek, K. - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
    Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications.
    Fourth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems. Bellingham: SPIE, 2017 - (du Plessis, M.), s. 1-15, č. článku 1003617. Proceedings of SPIE, 10036. ISBN 978-151060513-8. ISSN 0277-786X.
    [South African Conference on Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems (SMEOS) /4./. Skukuza (ZA), 18.09.2016-20.09.2016]
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603; GA ČR GA16-15569S
    GRANT EU: European Commission(XE) CZ.2.16/3.1.00/24510; European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: gallium nitride * indium gallium nitride * quantum wells * scintillators * sensors * luminescence * excitons * scintillation * radiation * resistance
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0273529
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0477154.pdf6459.7 KBJinápovolen
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.