Výsledky vyhledávání
- 1.0540512 - FZÚ 2021 RIV CZ cze Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice
Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu.
[Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate.]
Interní kód: InGaN1 ; 2020
Technické parametry: Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů. Dosvit nejrychlejší složky pod 3 ns.
Ekonomické parametry: Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
Grant CEP: GA TA ČR TH02010580; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * InGaN * heterostructure * scintillation detection * MOVPE
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318142