Výsledky vyhledávání

0520192 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Zíková, Markéta
Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení.
[Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 25.07.2019. Číslo patentu: 307941
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAsSb
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304875