Výsledky vyhledávání
- 1.0450021 - FZÚ 2016 ZA eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Preparation and measurements of MOVPE multiple InAs/GaAs/GaAsSb quantum dot structures for the telecom wavelength region emitted from 1.3 to 1.8 μm.
South African Conference on Photonic Materials /6./. Pretoria: SAIP, 2015 - (Botha, R.). s. 18-18
[South African Conference on Photonic Materials /6./. 04.05.2015-08.05.2015, Mabula Game Lodge]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251402 - 2.0433914 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 14-14
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs quantum dots * GaAsSb layer * photocurrent * long emission wavelength * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0238091