Výsledky vyhledávání
- 1.0479022 - FZÚ 2018 SK eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Gregušová, D. - Pohorelec, O. - Stoklas, R. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Novák, J. - Heuken, M.
Preparation and measurement of GaN based HEMT structures.
Zborník abstraktov. 19. konferencia slovenských a českých fyzikov. Zvolen: Slovenská fyzikálna společnost´, 2017.
[Konferencia slovenských a českých fyzikov /19./. 04.09.2017-07.09.2017, Prešov]
Grant ostatní: AV ČR(CZ) SAV-16-21
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * HEMT * GaN * AlGaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275072 - 2.0464495 - FZÚ 2017 RIV ZA eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Foltynski, B. - Brůža, P. - Pánek, D. - Beitlerová, Alena - Oeztuerk, M. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications.
SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./.Abstracts. Skukuza: SPIE, 2016 - (Schutte, C.). s. 62-62
[SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./. 12.09.2016-14.09.2016, Skukuza]
Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN QWs * yellow luminescence * photoluminescence * x-ray diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263376 - 3.0463746 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Hubáček, Tomáš - Walachová, J. - Vaniš, J. - Křápek, V. - Humlíček, J. - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Brůža, P. - Pánek, D. - Foltynski, B. - Oeztuerk, M. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures.
GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 38.
[German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs quantum dot * GaAsSb SRL * GaInN quantum well * GaN * GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262837 - 4.0449778 - FZÚ 2016 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Brůža, P. - Pánek, D. - Foltynski, B. - Beitlerová, Alena - Heuken, M.
InGaN/GaN multiple quantum well structures for detectors.
NANOCON 2015 Proceedings of Abstracts. Ostrava: TANGER Ltd., 2015. s. 29-29. ISBN 978-80-87294-59-8.
[NANOCON 2015. International Conference /7./. 14.10.2015-16.10.2015, Brno]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN * GaN * MQW * scintillator
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0251229