Výsledky vyhledávání
- 1.0536206 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Gordeev, Ivan - Paszuk, A. - Supplie, O. - Stoeckmann, J.P. - Houdková, Jana - Ukraintsev, Egor - Bartoš, Igor - Jiříček, Petr - Hannappel, T.
GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering.
Applied Surface Science. Roč. 514, Jun (2020), s. 1-8, č. článku 145903. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) LM2015088; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si heterostructure * buried interface analysis * XPS * depth profiling * gas cluster ion beam sputtering * interface core level shifts
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.707, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.145903
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314015 - 2.0535112 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Supplie, O. - Paszuk, A. - Stoeckmann, J.Ph. - Wilks, R.G. - Bombsch, J. - Hartmann, C. - Garcia-Diez, R. - Ueda, S. - Bartoš, Igor - Gordeev, Ivan - Houdková, Jana - Kleinschmidt, P. - Baer, M. - Jiříček, Petr - Hannappel, T.
Hard X-ray photoelectron spectroscopy study of core level shifts at buried GaP/Si(001) interfaces.
Surface and Interface Analysis. Roč. 52, č. 12 (2020), s. 933-938. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: buried interfaces * GaP/Si * HAXPES * interface chemical states
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.607, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/sia.6829
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0313213 - 3.0533932 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Kleinschmidt, P. - Mutombo, Pingo - Berthold, T. - Paszuk, A. - Steidl, M. - Ecke, G. - Nägelein, A. - Koppka, C. - Supplie, O. - Krischok, S. - Romanyuk, Olexandr - Himmerlich, M. - Hannappel, T.
Atomic surface structure of MOVPE-prepared GaP(1 1 1)B.
Applied Surface Science. Roč. 534, Dec (2020), s. 1-8, č. článku 147346. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA ČR GC18-06970J
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE-preparation * STM * XPS * DFT
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.707, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147346
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0312161 - 4.0500481 - FZÚ 2019 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Supplie, O. - Romanyuk, Olexandr - Koppka, C. - Steidl, M. - Nägelein, A. - Paszuk, A. - Winterfeld, L. - Dobrich, A. - Kleinschmidt, P. - Runge, E. - Hannappel, T.
Metalorganic vapor phase epitaxy of III V-on-silicon: experiment and theory.
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. Roč. 64, č. 4 (2018), s. 103-132. ISSN 0960-8974. E-ISSN 1878-4208
Grant CEP: GA ČR GC18-06970J
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: III-V-on-silicon * heteroepitaxy * MOCVD * MOVPE * theory
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.872, rok: 2018
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2018.07.002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292543 - 5.0466113 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Supplie, O. - Susi, T. - May, M.M. - Hannappel, T.
Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces.
Physical Review B. Roč. 94, č. 15 (2016), s. 1-9, č. článku 155309. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA ČR GF16-34856L
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: interface structure * GaP/Si heterointerface * interface electronic states * core-level shifts
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.836, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264517 - 6.0448022 - FZÚ 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Supplie, O. - May, M.M. - Steinbach, G. - Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Nägelein, A. - Kleinschmidt, P. - Brückner, S. - Hannappel, T.
Time-resolved in situ spectroscopy during formation of the GaP/Si(100) heterointerface.
Journal of Physical Chemistry Letters. Roč. 6, č. 3 (2015), 464-469. ISSN 1948-7185
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: solar cells * GaP/Si * heterointerface structure * MOCVD * XPS * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 8.539, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249767 - 7.0440096 - FZÚ 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Supplie, O. - Brückner, S. - Romanyuk, Olexandr - Döscher, H. - Höhn, C. - May, M.M. - Kleinschmidt, P. - Grosse, F. - Hannappel, T.
Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory.
Physical Review. B. Roč. 90, č. 23 (2014), "235301-1"-"235301-7". ISSN 1098-0121
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: solar cells * GaP on Si(001) heteroepitaxy * RAS * DFT
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.736, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0243233