Výsledky vyhledávání
- 1.0450973 - FZÚ 2016 PL eng A - Abstrakt
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
The metalorganic vapour phase epitaxy growth of AIII BV heterostructures observed by reflection anisotropy spectroscopy.
"Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors /44./. Warsaw: Polish Academy of Sciences, 2015. s. 13-13.
["Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors /44./. 20.06.2015-25.06.2015, Wisla]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * reflectance anisotropy spectroscopy * GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0252147 - 2.0433917 - FZÚ 2015 GR eng A - Abstrakt
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Kubištová, Jana - Pangrác, Jiří - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J. - Florini, N. - Drbohlav, Ivo
The effect of the lower and upper interface on properties of InAs/GaAs quantum dots.
iib2013 Book of Abstracts. Thessaloniki: Aristotle University of Thessaloniki, 2013 - (Komninou, P.)
[International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials /14./. 23.06.2013-28.06.2013, Halkidiki]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT 7AMB12GR034
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: interface * quantum dot * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0238106 - 3.0433914 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 14-14
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs quantum dots * GaAsSb layer * photocurrent * long emission wavelength * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0238091