Výsledky vyhledávání
- 1.0469042 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V. - Semenikhin, P.V. - Kalinina, K.V. - Parfeniev, R.V. - Berezovets, V.A. - Safonchik, M.O. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells.
Journal of Nanophotonics. Roč. 10, č. 4 (2016), 1-8, č. článku 046013. ISSN 1934-2608
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Shubnikov-de Haas oscillations * microwave absorption * electron-paramagnetic resonance * composite quantum wells * InAs/GaSb/AlSb * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.325, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0266941 - 2.0458379 - FZÚ 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures.
Physica B-Condensed Matter. Roč. 480, Jan (2016), 14-22. ISSN 0921-4526. E-ISSN 1873-2135
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE * luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.405, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0258645 - 3.0448593 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), 167-171. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: long emission wavelength * photocurrent * InAs quantum dots * MOVPE * GaAsSb layer
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0250242 - 4.0447828 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), s. 156-160. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs/GaAs MQD * GaAsSb SRL * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249602 - 5.0432311 - FZÚ 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Danilov, L.V. - Petukhov, A.A. - Kalinina, K.V. - Slobozhanyuk, S.I. - Zegrya, G.G. - Stoyanov, N. D. - Yakovlev, Yu. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum well.
Journal of Applied Physics. Roč. 115, č. 22 (2014), "223102-1"-"223102-5". ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaSb * InAs * electroluminescence * quantum well
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.183, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0236718 - 6.0431316 - FZÚ 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J. - Florini, N. - Hulicius, Eduard
Effect of the lower and upper interfaces on the quality of InAs/GaAs quantum dots.
Applied Surface Science. Roč. 301, SI (2014), 173-177. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026; GA MŠMT 7AMB12GR034
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * GaAsSb * reflectance anisotropy spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.711, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0235894 - 7.0428421 - ÚFE 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Komninou, Ph. - Gladkov, Petar - Karakostas, Th. - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Vaniš, Jan - Hulicius, Eduard
Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates.
Journal of Crystal Growth. -, č. 396 (2014), s. 54-60. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034; GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
Klíčová slova: Structuralproperties * MOVPE * PLcharacterization
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika; BM - Fyzika pevných látek a magnetismus (FZU-D)
Impakt faktor: 1.698, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0233786Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0428421.pdf 9 1.7 MB Jiná vyžádat - 8.0399146 - FZÚ 2014 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Kubištová, Jana - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Combined vertically correlated InAs and GaAsSb quantum dots separated by triangular GaAsSb barrier.
Journal of Applied Physics. Roč. 114, č. 17 (2013), "174305-1"-"174305-5". ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT 7AMB12GR034; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * InAs * GaAs * GaAsSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.185, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0226500 - 9.0397576 - FZÚ 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Morávek, Pavel - Fulem, Michal - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Růžička, K.
Vapor pressures of dimethylcadmium, trimethylbismuth, and tris(dimethylamino)antimony.
Fluid Phase Equilibria. Roč. 360, Dec (2013), s. 106-110. ISSN 0378-3812. E-ISSN 1879-0224
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: vapor pressure * dimethylcadmium * trimethylbismuth * tris(dimethylamino)antimony * sublimation and vaporization enthalpy
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Impakt faktor: 2.241, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0225193 - 10.0395842 - FZÚ 2014 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Andreev, I.A. - Ivanov, E.V. - Konovalov, G.G. - Grebentschikova, E.A. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Photoelectric and luminescence properties of GaSb-based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy.
Semiconductors. Roč. 47, č. 8 (2013), 1037-1042. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaSb * MOVPE * photodetector
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.705, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0223736