Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0464517 - FZÚ 2017 CZ eng D - Dizertace
    Zíková, Markéta
    Band structure engineering of InAs/GaAs quantum dots.
    České vysoké učení technické v Praze, Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská. Obhájeno: Praha. - Praha: ČVUT, 2016. 108 s.
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: semiconductor * quantum dot * strain reducing layer * MOVPE * InAs * GaAs * InGaAs * GaAsSb
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263399
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.