Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0479307 - FZÚ 2018 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Zíková, Markéta - Rettig, O. - Steiger, N. - Hubáček, Tomáš - Scholz, J.P. - Hocker, M. - Thonke, K. - Li, Y. - Qi, H. - Biskupek, J. - Kaiser, U. - Scholz, F.
    Challenges and technological aspects of boron incorporation into AlGaN and AlN layers prepared by MOVPE.
    EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble, 2017 - (Eymery, J.), s. 67-67
    [EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble (FR), 18.06.2017-21.06.2017]
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) MSM100101603
    Program: Program na podporu mezinárodní spolupráce začínajících výzkumných pracovníků
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * AlGaN * AlBGaN * AlBN * photoluminescence
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275560
     
     
  2. 2.
    0479300 - FZÚ 2018 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Kuldová, Karla - Kretková, Tereza - Novotný, Radek - Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří
    Long range influence of macroscopic defects on photoluminescence of GaN/InGaN multiple quantum well structures.
    EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble, 2017 - (Eymery, J.), s. 40-40
    [EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble (FR), 18.06.2017-21.06.2017]
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * GaN * photoluminescece * Raman spectroscopy * macroscopic defects
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275561
     
     
  3. 3.
    0479290 - FZÚ 2018 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hývl, Matěj - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
    MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure.
    EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble, 2017 - (Eymery, J.), s. 114-117
    [EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble (FR), 18.06.2017-21.06.2017]
    Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LO1603
    GRANT EU: European Commission(XE) CZ.2.16/3.1.00/24510
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * nitrides * scintillator * quantum well
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    http://inac.cea.fr/en/Phocea/Page/index.php?id=215&ref=193
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275558
     
     
  4. 4.
    0477154 - FZÚ 2018 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Brůža, P. - Pánek, D. - Blažek, K. - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
    Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications.
    Fourth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems. Bellingham: SPIE, 2017 - (du Plessis, M.), s. 1-15, č. článku 1003617. Proceedings of SPIE, 10036. ISBN 978-151060513-8. ISSN 0277-786X.
    [South African Conference on Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems (SMEOS) /4./. Skukuza (ZA), 18.09.2016-20.09.2016]
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603; GA ČR GA16-15569S
    GRANT EU: European Commission(XE) CZ.2.16/3.1.00/24510; European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: gallium nitride * indium gallium nitride * quantum wells * scintillators * sensors * luminescence * excitons * scintillation * radiation * resistance
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0273529
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0477154.pdf6459.7 KBJinápovolen
     
     
  5. 5.
    0469570 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta
    Technology of AlSb/GaSb based LED nanostructures for high temperature superlinear luminescence.
    ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 93-96. ISBN 978-150903083-5.
    [International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
    Grant CEP: GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * LED * AlSb * GaSb * superlinear luminescence
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267405
     
     
  6. 6.
    0469569 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
    GaAsSb/InAs QDs structures for advanced telecom lasers.
    ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 57-60. ISBN 978-150903083-5.
    [International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
    Grant CEP: GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * MOVPE * strain reducing layer * long emission wavelength * telecom lasers
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267401
     
     
  7. 7.
    0469563 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
    Photoluminescence of InGaN/GaN MQW structures – technological aspects.
    ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 41-44. ISBN 978-150903083-5.
    [International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
    Grant CEP: GA MŠMT LO1603; GA ČR GA16-15569S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: scintillator * GaN * multiple quantum well * photoluminescence * cathodoluminescence * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267357
     
     
  8. 8.
    0463433 - FZÚ 2017 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
    The metalorganic vapour phase epitaxy growth of AIIIBV heterostructures observed by reflection anisotropy spectroscopy.
    Acta Physica Polonica A, vol. 129, č. 1A. Warsaw: Polish Academy of Sciences, 2016, A75-A78. ISSN 0587-4246. E-ISSN 1898-794X.
    [aszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors (IS and CPS) /44./. Wisla (PL), 20.06.2015-25.06.2015]
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * cubic semiconductors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262636
     
     
  9. 9.
    0456714 - FZÚ 2016 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Mikhailova, M. - Ivanov, E. - Danilov, L. - Petukhov, A. - Kalinina, K. - Stoyanov, N. - Yakovlev, Y. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
    Superlinearity and temperature dependence of electroluminescence in heterostructures with deep AlSb/InAs1-xSbx/AlSb quantum well.
    Photonics, Devices, and System VI. Bellingham: SPIE, 2015 - (Tománek, P.; Senderáková, D.; Páta, P.), "94500J-1"-"94500J-10". Proceedings of SPIE, 9450. ISBN 978-1-62841-566-7. ISSN 0277-786X.
    [International Conference on Photonics, Devices, and System VI /8./. Praha (CZ), 27.08.2014-29.08.2014]
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: deep QW * InAsSb * superlinear photoluminescence * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0257201
     
     
  10. 10.
    0455391 - FZÚ 2016 RIV RU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Danilov, L.V. - Petukhov, A.A. - Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Kalinina, K.V. - Zegrya, G.G. - Stoyanov, N. D. - Yakovlev, Yu. P. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
    High-temperature superlinear luminescence in GaSb based nanostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells grown by MOVPE.
    Nanostructures: Physics and Technology. Proceedings. Saint Petersburg: Academic University Publishing, 2015 - (Savostyanova, E.), s. 77-78. ISBN 978-5-7422-4876-7.
    [Nanostructures: Physics and Technology. Saint Petersburg (RU), 22.06.2015-26.06.2015]
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * GaSb * superlinear electroluminescence * deep QW
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0256020
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.