Výsledky vyhledávání
- 1.0522073 - FZÚ 2020 RIV DE eng A - Abstrakt
Stuchlíková, The-Ha - Remeš, Zdeněk - Mortet, Vincent - Ashcheulov, Petr - Krivyakin, G.K. - Volodin, V. - Stuchlík, Jiří
High temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon carbide and boron-doped diamond thin films.
Book of Abstracts of IWEPNM 2019. Berlin: Technische Universität Berlin Institut für Festkörperphysik, 2019 - (Machón, M.). s. 37-37
[International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM) /33./. 09.03.2019-16.03.2019, Kirchberg]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC19-02858J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: PIN diodes * hydrogenated silicon carbide * boron doped diamond
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://www.iwepnm.org/fileadmin/user_upload/IWEPNM2019-Abstractbook.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306575 - 2.0521853 - FZÚ 2020 RIV BE eng A - Abstrakt
Remeš, Zdeněk - Stuchlíková, The-Ha - Mortet, Vincent - Ashcheulov, Petr - Taylor, Andrew - Stuchlík, Jiří
Optoelectronic properties of thin film amorphous hydrogenated silicon carbide diodes deposited on transparent boron-doped diamond.
Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV. Hasselt: SBDD XXIV, 2019. s. 150-150.
[Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV. 13.03.2019-15.03.2019, Hasselt]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) LTC17029; GA ČR GC19-02858J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: amorphous hydrogenated silicon carbide * boron-doped diamond
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306407 - 3.0469996 - ÚFCH JH 2017 CZ eng A - Abstrakt
Mortet, Vincent - Vlčková Živcová, Zuzana - Taylor, A. - Klimša, Ladislav - Ashcheulov, Petr - Zukal, Arnošt - Krýsová, Hana - Frank, Otakar - Hubík, Pavel - Kopeček, Jaromír - Kavan, Ladislav
Structural and electrochemical characterization of thick porous boron doped nano-crystalline diamond/SiO2 nanofiber composite fabricated by plasma enhanced chemical vapour deposition.
49th Heyrovský Discussion. Electrochemical Interfaces at the Nanoscale. Book of Abstracts. Prague: J. Heyrovský Institute of Physical Chemistry CAS, v. v. i., 2016 - (Tarábková, H.; Mansfeldová, V.). s. 29-29
[Electrochemical Interfaces at the Nanoscale. Heyrovský Discussion /49./. 29.05.2016-02.06.2016, Třešť]
Grant CEP: GA ČR GA13-31783S
Institucionální podpora: RVO:61388955 ; RVO:68378271
Klíčová slova: electrochemistry * diamond electrodes * SiO2
Kód oboru RIV: CG - Elektrochemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267740 - 4.0456477 - FZÚ 2016 GB eng A - Abstrakt
Taylor, Andrew - Ashcheulov, Petr - Čada, Martin - Drahokoupil, Jan - Fekete, Ladislav - Klimša, Ladislav - Olejníček, Jiří - Remeš, Zdeněk - Čtvrtlík, R. - Tomáštík, J. - Janíček, P. - Mistrík, J. - Kopeček, Jaromír - Mortet, Vincent
Characterisation of silicon carbide layers formed during BNCD deposition.
Diamond Conference. Coventry: University of Warwick, 2015. P6.1-P6.3
[De Beers Diamond Conference 2015. 06.07.2015-09.07.2015, Warwick]
Grant CEP: GA ČR GA13-31783S; GA MŠMT LO1409; GA MŠMT(CZ) LM2011029
Grant ostatní: OP VK(XE) CZ.1.07/2.3.00/20.0306
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: silicon carbide * nano-crystalline diamond
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0256994 - 5.0456468 - FZÚ 2016 GB eng A - Abstrakt
Ashcheulov, Petr - Taylor, Andrew - Cháb, Vladimír - Fekete, Ladislav - Horáková, Kateřina - Klimša, Ladislav - Škoda, R. - Škarohlíd, J. - Kalvoda, L. - Vratislav, S. - Mortet, Vincent - Kopeček, Jaromír - Kratochvílová, Irena
Protection of Zircaloy nuclear fuel rods using nanocrystalline diamond coatings.
Diamond Conference. Coventry: University of Warwick, 2015 - (Newton, M.). O12.1-O12.3
[De Beers Diamond Conference 2015. 06.07.2015-09.07.2015, Warwick]
Grant CEP: GA TA ČR TA04020156; GA TA ČR TA01011165; GA ČR(CZ) GA14-10279S; GA ČR GA13-31783S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: zircaloy * LWR * nuclear * nanocrystalline diamond
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0256992 - 6.0393077 - ÚOCHB 2014 CZ eng A - Abstrakt
Ashcheulov, Petr - Šebera, Jakub - Petrák, Václav - Fendrych, František - Nesladek, M. - Vlčková Živcová, Zuzana - Frank, Otakar - Kavan, Ladislav - Dračínský, Martin - Kratochvílová, Irena
Influence of specific boron defects on boron-doped diamond conductivity.
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Czech and Slovak Crystallographic Association. Roč. 20, č. 1 (2013), s. 23-23. ISSN 1211-5894.
[Discussions in Structural Molecular Biology. Annual Meeting of the Czech Society for Structural Biology /11./. 14.03.2013-16.03.2013, Nové Hrady]
Institucionální podpora: RVO:61388963 ; RVO:68378271 ; RVO:61388955
Klíčová slova: boron-doped diamond conductivity * Raman spectroscopy * DFT
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0222012