Výsledky vyhledávání
- 1.0374726 - ÚFE 2012 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
III-V semiconductors grown on porous substrates.
EWMOVPE XIV-European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Wroclaw: Technická univerzita, 2011 - (Pražmowska, J.), s. 71-74. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: porous semiconductors * heterotransitions * electrochemical etching of metals
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006909 - 2.0373971 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Huber, S. - Šaněk, F. - Nádherný, L. - Maryško, Miroslav - Hejtmánek, Jiří - Jurek, Karel - Mikulics, M.
Mn-doped ZnO thin films deposited by spray MOVPE.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 83-86. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GA104/09/0621
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ZnO * Mn doping * spintronics * spray MOVPE * magnetism
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006887 - 3.0367158 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Preparation of InAs/GaAs quantum dots for BEEM/BEES.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 263-266. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676; GA ČR GPP102/11/P824
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * BEEM/BEES
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006668 - 4.0367155 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hazdra, P.
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 105-108. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006666