Výsledky vyhledávání
- 1.0388009 - FZÚ 2013 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Šofer, Z. - Sedmidubský, D. - Huber, Š. - Hejtmánek, Jiří - Macková, Anna - Fiala, R.
Mn doped GaN thin films and nanoparticles.
International Journal of Nanotechnology. Roč. 9, 8-9 (2012), s. 809-824. ISSN 1475-7435. E-ISSN 1741-8151
Grant CEP: GA ČR GA104/09/0621
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10480505
Klíčová slova: GaN nanoparticles * GaN thin films * manganese * transition metals * MOVPE * ion implantations
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.087, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216846 - 2.0385913 - FZÚ 2013 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Šimek, P. - Šofer, Z. - Sedmidubský, D. - Jankovský, O. - Hejtmánek, Jiří - Maryško, Miroslav - Václavů, M. - Mikulics, M.
Mn doping of GaN layers grown by MOVPE.
Ceramics - Silikáty. Roč. 56, č. 2 (2012), s. 122-126. ISSN 0862-5468. E-ISSN 1804-5847
Grant CEP: GA ČR GA104/09/0621
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * nitrides * magnetic materials * semiconducting III-V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.418, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0215069 - 3.0374228 - FZÚ 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Huber, Š. - Hejtmánek, Jiří - Maryško, Miroslav - Jurek, Karel - Mikulics, M.
Flux growth of ZnO crystals doped by transition metals.
Journal of Crystal Growth. Roč. 314, č. 1 (2011), 123-128. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GA104/09/0621
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: growth from high temperature solutions * oxides * zinc compounds * magnetic materials * semiconducting ii–vi materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0207193 - 4.0365408 - ÚJF 2012 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Moram, M. - Macková, Anna - Buchal, C. - Hardtdegen, H. - Václavů, M. - Peřina, Vratislav - Groetzschel, R. - Mikulics, M. - Hejtmánek, Jiří - Maryško, Miroslav
Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu.
Thin Solid Films. Roč. 519, č. 18 (2011), s. 6120-6125. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GA104/09/1269; GA ČR GA106/09/0125; GA ČR GA104/09/0621
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: Magnetic semiconductors * III-V semiconductors * Ion implantation * X-ray diffraction * Rutherford backscattering spectroscopy
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 1.890, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0200656