Výsledky vyhledávání
- 1.0377299 - FZÚ 2013 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Direct measurement of quantum levels in InAs/GaAs QDs by BEEM / BEES.
17th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2012 - (Reiffers, M.), s. 105-107. ISBN 978-80-970625-4-5.
[Conference of Czech and Slovak Physicists/17./. Žilina (SK), 05.09.2011-08.09.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * MOVPE * BEEM * BEES
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0209496 - 2.0371546 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla
In situ reflectance anisotropy spectroscopy monitoring of formation and capping process of InAs/GaAs quantum dots.
EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 261-264.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /13./. ULM (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: RAS * MOVPE * QD * InAs/GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205038 - 3.0371545 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla
Comparison of InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 179-181.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /13./. ULM (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOVPE * quantum dots * InAs/GaAs * InGaAs * GaAsSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205037 - 4.0367158 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Preparation of InAs/GaAs quantum dots for BEEM/BEES.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 263-266. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676; GA ČR GPP102/11/P824
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * BEEM/BEES
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006668 - 5.0367155 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hazdra, P.
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 105-108. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006666