Výsledky vyhledávání
- 1.0373132 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard - Caha, O.
InAs/GaAs QD capping in kinetically or diffusion limited growth regime.
IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 44.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dot * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206287 - 2.0373106 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav
Influence of strain reducing layer type on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures.
IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 44.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206262 - 3.0373041 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Hazdra, P. - Caha, O. - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
The 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. 2009 Abstract Book. Warren: American Association for Crystal Growth, 2009. s. 68. ISBN N.
[US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy /14./. 09.08.2009-14.08.2009, Lake Geneva, Wisconsin]
Grant CEP: GA ČR GA202/09/0676
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III/V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006873 - 4.0372948 - FZÚ 2012 GB eng A - Abstrakt
Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan
Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures.
Quantum Dot 2010. Abstracts book. London: IOP, 2010. s. 395. ISBN N.
[Quantum Dot 2010. 26.04.2010-30.04.2010, Nottingham]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electroluminescence * photoluminescence * InAs/GaAs * QD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206142 - 5.0371834 - FZÚ 2012 CZ eng A - Abstrakt
Vaniš, Jan - Walachová, Jarmila - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice
Ballistic electron emission microscopy/spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MOVPE and MBE.
NANOCON 2011. Conference Proceedings. Ostrava: Tanger Ltd, 2011. s. 77. ISBN 978-80-87294-23-9.
[NANOCON 2011. International Conference /3./. 21.09.2011-23.09.2011, Brno]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: BEEM * BEES * MOVPE * QD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205259 - 6.0371701 - FZÚ 2012 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Direct measurement of quantum levels in InAs/GaAs QDs by BEEM / BEES.
Zborník abstraktov. 17. konferencia slovenských a českých fyzikov. Zvolen: Slovenská fyzikálna spoločnosť, 2011. s. 1-2.
[Konferencia slovenských a českých fyzikov /17./. 05.09.2011-08.09.2011, Žilina]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * InAs/GaAs * low pressure MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205162 - 7.0371049 - FZÚ 2012 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Ziková, M. - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla
Controlling of MOVPE InAs/GaAs quantum dot properties for device application.
NANOCON 2011. Conference Proceedings. Ostrava: Tanger Ltd, 2011. s. 23. ISBN 978-80-87294-23-9.
[NANOCON 2011. International Conference /3./. 21.09.2011-23.09.2011, Brno]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * M0VPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204684