Výsledky vyhledávání

0324923 - ÚJF 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Da Via, C. - Hasi, J. - Kenney, C. - Linhart, V. - Parker, S. - Slavíček, T. - Watts, S. J. - Bém, Pavel - Horažďovský, T. - Pospíšil, S.
Radiation hardness properties of full-3D active edge silicon sensors.
[Radiační odolnost plně-3D křemíkových senzorů s aktivním povrchem.]
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 587, 2-3 (2008), s. 243-249. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505
Klíčová slova: silicon detectors * radiation hardness * 3D
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 1.019, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0172508