Výsledky vyhledávání
- 1.0463433 - FZÚ 2017 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
The metalorganic vapour phase epitaxy growth of AIIIBV heterostructures observed by reflection anisotropy spectroscopy.
Acta Physica Polonica A, vol. 129, č. 1A. Warsaw: Polish Academy of Sciences, 2016, A75-A78. ISSN 0587-4246. E-ISSN 1898-794X.
[aszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors (IS and CPS) /44./. Wisla (PL), 20.06.2015-25.06.2015]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * cubic semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262636 - 2.0455033 - FZÚ 2016 RIV SE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Petříček, Otto - Pangrác, Jiří
Intermediate band solar cell structures grown by MOVPE.
EWMOVPE XVI - 16th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Lund: Nanometer Structure Consortium, 2015 - (Ghalamestani, S.; Lundfald, L.), s. 191-194
[EWMOVPE XVI - 16th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Lund (SE), 07.06.2015-10.06.2015]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * quantum dot * intermediate band solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0255685 - 3.0377299 - FZÚ 2013 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Direct measurement of quantum levels in InAs/GaAs QDs by BEEM / BEES.
17th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2012 - (Reiffers, M.), s. 105-107. ISBN 978-80-970625-4-5.
[Conference of Czech and Slovak Physicists/17./. Žilina (SK), 05.09.2011-08.09.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * MOVPE * BEEM * BEES
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0209496 - 4.0372993 - FZÚ 2012 CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Matulková, Irena - Cihelka, Jaroslav - Zelinger, Zdeněk - Civiš, Martin - Šimeček, Tomislav - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Diagnostic and characterization of the VCSEL diodes based on W heterostructure type II on GaSb substrate.
Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-X). Shanghai: Shanghai Institute of Microsystem and Information technology Chinese Academy of Sciences, 2010, s. 178-179. ISBN N.
[International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices /10./ (MIOMD-X). Shanghai (CN), 05.09.2010-09.09.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: VCSEL diodes * GaSb * semiconductor laser * MID-IR
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206174 - 5.0371546 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla
In situ reflectance anisotropy spectroscopy monitoring of formation and capping process of InAs/GaAs quantum dots.
EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 261-264.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /13./. ULM (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: RAS * MOVPE * QD * InAs/GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205038 - 6.0371545 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla
Comparison of InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 179-181.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /13./. ULM (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOVPE * quantum dots * InAs/GaAs * InGaAs * GaAsSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205037 - 7.0367158 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Preparation of InAs/GaAs quantum dots for BEEM/BEES.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 263-266. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676; GA ČR GPP102/11/P824
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * BEEM/BEES
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006668 - 8.0367155 - FZÚ 2012 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Hazdra, P.
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission.
EWMOVPE XIV. Wroclaw: Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 - (Prazmowska, J.), s. 105-108. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006666 - 9.0367084 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Fulem, Michal - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Organometallic Ge precursors, their stability and vapour pressure measurement.
IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 421-422.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: germanium precursors * vapour pressure * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201866 - 10.0367077 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer growth parameters on the properties of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots.
IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 101-102.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201862