Výsledky vyhledávání
- 1.0466021 - FZÚ 2017 US eng A - Abstrakt
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto - Hulicius, Eduard
GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications.
ICMOVPE XVIII. Program and Exhibit Guide. Warrendale: MRS - Conference Services, 2016 - (Biefeld, R.). s. 44-44
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264476 - 2.0463746 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Hubáček, Tomáš - Walachová, J. - Vaniš, J. - Křápek, V. - Humlíček, J. - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Brůža, P. - Pánek, D. - Foltynski, B. - Oeztuerk, M. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures.
GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 38.
[German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs quantum dot * GaAsSb SRL * GaInN quantum well * GaN * GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262837 - 3.0450973 - FZÚ 2016 PL eng A - Abstrakt
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
The metalorganic vapour phase epitaxy growth of AIII BV heterostructures observed by reflection anisotropy spectroscopy.
"Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors /44./. Warsaw: Polish Academy of Sciences, 2015. s. 13-13.
["Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors /44./. 20.06.2015-25.06.2015, Wisla]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * reflectance anisotropy spectroscopy * GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0252147 - 4.0433688 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 14-14
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * reflectance anisotropy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237854 - 5.0433687 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Otto - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 7-7
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * solar cells
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237896 - 6.0391055 - FZÚ 2013 HU eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi
Controlling of properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dot structures for device application.
EuroNanoForum 2011 in partnership with Nanotech Europe - Coference - Exhibition - Matchmaking. 2011.
[EuroNanoForum 2011. 30. 05.2011-01.06. 2011, Budapest]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT LC510
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * Quantum Dots
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219937 - 7.0390592 - FZÚ 2013 KR eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan
Graded GaAs(1-x)Sbx strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE.
IC-MOVPE XVI. Daejeon 302-120: Seo-Gu, 2012 - (Euijoon, Y.). s. 76-76
[nternational Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy /16./. 20. 05.- 25. 05. 2012, Busan]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * strain reducing layer * band alignment * photoluminescence * InAs/GaAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219462 - 8.0373132 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard - Caha, O.
InAs/GaAs QD capping in kinetically or diffusion limited growth regime.
IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 44.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dot * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206287 - 9.0373106 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav
Influence of strain reducing layer type on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures.
IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 44.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206262 - 10.0373041 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Hazdra, P. - Caha, O. - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
The 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. 2009 Abstract Book. Warren: American Association for Crystal Growth, 2009. s. 68. ISBN N.
[US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy /14./. 09.08.2009-14.08.2009, Lake Geneva, Wisconsin]
Grant CEP: GA ČR GA202/09/0676
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III/V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006873