Výsledky vyhledávání
- 1.0427093 - FZÚ 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Tesařová, N. - Ostatnický, T. - Novák, Vít - Olejník, Kamil - Šubrt, J. - Reichlová, Helena - Ellis, C.T. - Mukherjee, A. - Lee, J. - Sipahi, G.M. - Sinova, Jairo - Hamrle, J. - Jungwirth, Tomáš - Němec, P. - Cerne, J. - Výborný, Karel
Systematic study of magnetic linear dichroism and birefringence in (Ga,Mn)As.
Physical Review. B. Roč. 89, č. 8 (2014), , , "085203-1"-"085203-14". ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2011026
GRANT EU: European Commission(XE) 268066 - 0MSPIN
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magneto-optics
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Impakt faktor: 3.736, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0232701 - 2.0335843 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Acbas, G. - Kim, M.-H. - Cukr, Miroslav - Novák, Vít - Scarpulla, M.A. - Dubon, O.D. - Jungwirth, Tomáš - Sinova, J. - Cerne, J.
Electronic structure of ferromagnetic semiconductor Ga1-xMnxAs probed by sub-gap magneto-optical spectroscopy.
[Elektronová struktura feromagnetického polovodiče GaMnAs studovaná pomocí magneto-optické spektroskopie.]
Physical Review Letters. Roč. 103, č. 13 (2009), 137201/1-137201/4. ISSN 0031-9007. E-ISSN 1079-7114
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002; GA ČR GEFON/06/E001
GRANT EU: European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magneto-optics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 7.328, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180202 - 3.0097564 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Acbas, G. - Sinova, J. - Scarpulla, M.A. - Dubon, O.D. - Cukr, Miroslav - Novák, Vít - Cerne, J.
Comparison of the mid-infrared magneto-otical response of GaMnAs films grown by molecular beam epitaxy and ion implantation and pulsed laser melting.
[Změny teploty substrátu během růstu GaMnAs technologií molekulární svazkové epitaxe.]
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. Roč. 20, - (2007), s. 457-460. ISSN 1557-1939. E-ISSN 1557-1947
Grant CEP: GA ČR GA202/04/1519
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: epitaxy * diluted magnetic semiconductors * spintronics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.425, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0156676