Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0337275 - FZÚ 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Wang, K. Y. - Irvine, A.C. - Wunderlich, Joerg - Edmonds, K. W. - Rushforth, A.W. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
    Magnetic reversal under external field and current-driven domain wall motion in (Ga,Mn)As: influence of extrinsic pinning.
    [Polem indukovaná změna magnetizace díky pohybu doménové stěny v GaMnAs: vliv zachycení na překážce.]
    New Journal of Physics. Roč. 10, č. 8 (2008), 085007/1-085007/15. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
    GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * domain wall motion
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.440, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181305
     
     
  2. 2.
    0314836 - FZÚ 2009 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Giddings, A.D. - Makarovsky, O. N. - Khalid, M.N. - Yasin, S. - Edmonds, K. W. - Campion, R. P. - Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš - Williams, D.A. - Gallagher, B. L. - Foxon, C. T.
    Huge tunnelling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As nanoconstrictions.
    [Silná tunelovací anisotropní magnetorezistance v (Ga,Mn)As nano-konstrikcích.]
    New Journal of Physics. Roč. 10, č. 8 (2008), 085004/1-085004/9. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
    Grant CEP: GA ČR GEFON/06/E002; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/05/0575; GA ČR GA202/04/1519
    GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * nanoconstriction * tunneling anisotropic magnetoresistance,
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.440, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0165220
     
     
  3. 3.
    0313235 - FZÚ 2009 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Park, B.G. - Wunderlich, J. - Williams, D.A. - Joo, S.J. - Jung, K.Y. - Shin, K. H. - Olejník, Kamil - Shick, Alexander - Jungwirth, Tomáš
    Tunneling anisotropic magnetoresistance in multilayer-(Co/Pt)/AlOx/Pt structures.
    [Anizotropní tunelová magnetorezistence ve feromagnetech (Co/Pt)/AlOx/Pt.]
    Physical Review Letters. Roč. 100, č. 8 (2008), 087204/1-087204/4. ISSN 0031-9007. E-ISSN 1079-7114
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA ČR GA202/04/1519; GA ČR GEFON/06/E002; GA MŠMT LC510
    GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Grant ostatní: UK(GB) GR/S81407/01
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10100520
    Klíčová slova: tunneling magnetoresistance * metallic ferromagnets * magnetocrystalline anisotropies
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 7.180, rok: 2008
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0164116
     
     
  4. 4.
    0097659 - FZÚ 2008 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš - Novák, Vít - Irvine, A.C. - Kaestner, B. - Shick, Alexander - Foxon, C. T. - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
    Ordinary and extraordinary Coulomb blockade magnetoresistance in (Ga,Mn)As single electron transistor.
    [Ordinérní a extraordinérní magnetorezistence v režimu Coulombovské blokády v GaMnAs jednoelektonového transistoru.]
    Solid State Communications. Roč. 144, - (2007), s. 536-541. ISSN 0038-1098. E-ISSN 1879-2766
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA ČR GA202/04/1519; GA MŠMT LC510; GA ČR GEFON/06/E001; GA ČR GEFON/06/E002
    GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10100520
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magnetoresistance * single-electron transistor
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.535, rok: 2007
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0156753
     
     
  5. 5.
    0097612 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš - Irvine, A.C. - Kaestner, B. - Shick, Alexander - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
    Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance and voltage controlled magnetic switching in a ferromagnetic GaMnAs single electron transistor.
    [Anisotropní magnetorezistence v režimu Coulombovské blokády a napětím řízená změna nagnetizace v GaMnAs jednoelektronovém transistoru.]
    Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Roč. 310, - (2007), s. 1883-1888. ISSN 0304-8853. E-ISSN 1873-4766
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA MŠMT LC510; GA ČR GEFON/06/E002
    GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10100520
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magnetoresistance * single-electron transistor
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.704, rok: 2007
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0156715
     
     
  6. 6.
    0097606 - FZÚ 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Wunderlich, J. - Irvine, A.C. - Zemen, Jan - Holý, V. - Rushforth, A.W. - De Ranieri, E. - Rana, U. - Výborný, Karel - Sinova, J. - Foxon, C. T. - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L. - Jungwirth, Tomáš
    Local control of magnetocrystalline anisotropy in (Ga,Mn)As microdevices: demonstration in current-induced switching.
    [Lokální kontrola magnetokrystalické anisotropie v GaMnAs mikrosoučástkách: ukázka na proudem indukovaném přepínání magnetizace.]
    Physical Review. B. Roč. 76, č. 5 (2007), 054424/1-054424/8. ISSN 1098-0121
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA ČR GA202/06/0025; GA ČR GA202/04/1519; GA ČR GEFON/06/E002; GA MŠMT LC510
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magnetocrystalline anisotropy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.172, rok: 2007
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0156710
     
     
  7. 7.
    0079015 - FZÚ 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš - Kaestner, B. - Irvine, A.C. - Shick, Alexander - Stone, N. - Wang, K. Y. - Rana, U. - Giddings, A.D. - Foxon, C. T. - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
    Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor.
    [Anisotropní magnetoresistence v režimu Coulombovské blokády v jednoelektronovém transistoru na bázi (Ga,Mn)As.]
    Physical Review Letters. Roč. 97, č. 7 (2006), 077201/1-077201/4. ISSN 0031-9007. E-ISSN 1079-7114
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA MŠMT LC510
    Grant ostatní: EPSRC(GB) GR/S81407/01
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: anisotropic magnetoresistance * Coulomb blockade * single electron transistor
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 7.072, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0143916
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.