Výsledky vyhledávání
- 1.0330532 - FZÚ 2010 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs.
[Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin.]
Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. ISSN 0749-6036. E-ISSN 1096-3677
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718; GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * indium arsenide * gallium arsenide * photoluminescence * AFM
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.910, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176305 - 2.0330529 - FZÚ 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Neudert, K. - Trojánek, F. - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Malý, P.
Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots.
[Ultrarychlá fotoluminiscenční spektroskopie InAs/GaAs kvantových teček.]
Physica Status Solidi C. Roč. 6, č. 4 (2009), 853-856. ISSN 1862-6351
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * photoluminescence * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176302 - 3.0318588 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots.
[Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: atomic force microscopy * nanostructures * low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.757, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0167961 - 4.0312428 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Optical characterization of MOVPE grown vertically correlated InAs/GaAs quantum dots.
[Optická charakterizace vertikálně korelovaných kvantových teček vyrostlých pomocí MOVPE.]
Microelectronics Journal. Roč. 39, č. 8 (2008), s. 1070-1074. ISSN 0026-2692. E-ISSN 1879-2391
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * photoluminescence * photomodulated reflectance * GaAs * InAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.859, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163497 - 5.0308047 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures.
[Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, 7-9 (2008), s. 2229-2233. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * metalorganic vapor-phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.757, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160642 - 6.0306889 - FZÚ 2008 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Atef, M. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance.
[Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí.]
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 147, - (2008), s. 175-178. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: optical properties * MOVPE * indium arsenide * gallium arsenide * quantum dots
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0159792 - 7.0085194 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Křápek, V. - Mates, Tomáš - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Melichar, Karel - Humlíček, J. - Šimeček, Tomislav
Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures grown by MOVPE.
[Laterální tvar InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách připravených pomocí MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 298, - (2007), s. 570-573. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242; GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * MOVPE * arsenides * semiconducting III-V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.950, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0147758 - 8.0085159 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Mates, Tomáš - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs.
[Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček přerůstaných InGaAs připravených pomocí MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 298, - (2007), s. 582-858. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718; GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * metalorganic vapor phase epitaxy * arsenides * semiconducting III-V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.950, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0147727 - 9.0078520 - FZÚ 2007 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Kuldová, Karla - Křápek, V. - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard - Potemski, M. - Humlíček, J.
1.3 μm emission from InAs/GaAs quantum dots.
[1.3 μm emise InAs/GaAs kvantových teček.]
Physica Status Solidi C. Roč. 3, č. 11 (2006), s. 3811-3814. ISSN 1610-1634
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242; GA ČR GA202/06/0718; GA AV ČR KJB101630601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * metalorganic vapor phase epitaxy * arsenides * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0143602 - 10.0043495 - FZÚ 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Křápek, V. - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Humlíček, J.
Elongation of InAs/GaAs quantum dots from magnetophotoluminescence measurements.
[Určení protažení InAs/GaAs kvantových teček z magnetoluminiscenčního měření.]
Applied Physics Letters. Roč. 89, č. 15 (2006), 153108/1-153108/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/06/0718; GA AV ČR(CZ) KJB101630601
Grant ostatní: High Magnetic Field Laboratory Grenoble(FR) SE3698 and SE1200
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * InAs/GaAs * magnetophotoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.977, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136472