Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0432332 - FZÚ 2015 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Rath, J.K. - Prastani, C. - Nanu, D.E. - Nanu, M. - Schropp, R.E.I. - Vetushka, Aliaksi - Hývl, Matěj - Fejfar, Antonín
    Fabrication of SnS quantum dots for solar-cell applications: issues of capping and doping.
    Physica Status Solidi B. Roč. 251, č. 7 (2014), s. 1309-1321. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951
    Grant CEP: GA ČR GA13-25747S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: chalcogenides * chemical bath deposition * core-shell particles * quantum dots * solar cells * tin sulfide
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.469, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0236727
     
     
  2. 2.
    0389173 - FZÚ 2013 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Prastani, C. - Vetushka, Aliaksi - Fejfar, Antonín - Nanu, M. - Nanu, D. - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    Conductivity mapping of nanoparticles by torsional resonance tunneling atomic force microscopy.
    Applied Physics Letters. Roč. 101, č. 8 (2012), , "083107-1"-"083107-4". ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2011026; GA MŠMT 7E10061
    GRANT EU: European Commission(XE) 240826 - PolySiMode
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: atomic force microscopy * nanoparticles * tin compounds * tunnelling
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.794, rok: 2012
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0218063
     
     
  3. 3.
    0347839 - FZÚ 2011 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Bronsveld, P.C.P. - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    High hydrogen dilution and low substrate temperature cause columnar growth of hydrogenated amorphous silicon.
    Physica Status Solidi A. Roč. 207, č. 3 (2010), s. 525-529. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA MŠMT LC510
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: hydrogenated amorphous silicon * columnar growth * cross-sectional transmission electron microscope (X-TEM]
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.458, rok: 2010
    http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200982847
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0188523
     
     
  4. 4.
    0341955 - FZÚ 2010 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Mates, Tomáš - Bronsveld, P.C.P. - Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    Structure of mixed-phase Si films studied by C-AFM and X-TEM.
    [Struktura smíšené fáze tenkých křemíkových vrstev studovaná pomocí vodivostního AFM a průřezového TEM.]
    Journal of Physics: Conference Series. Roč. 61, - (2007), s. 790-794. ISSN 1742-6588. E-ISSN 1742-6596
    Grant CEP: GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
    Klíčová slova: microcrystalline silicon * conductive AFM * cross-sectional TEM
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184793
     
     
  5. 5.
    0341951 - FZÚ 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan - Bronsveld, P.C.P. - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    C-AFM and X-TEM: studies of mixed-phase silicon thin films.
    [C-AFM a X-TEM: zkoumání heterostrukturních tenkých vrstev křemíku.]
    G.I.T. Imaging and Microscopy. Roč. 10, č. 1 (2008), s. 30-32. ISSN 1439-4243
    Grant CEP: GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
    Klíčová slova: conductive atomic force microscopy * cross-sectional transmission electron microscopy * silicon thin films
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184790
     
     
  6. 6.
    0308068 - FZÚ 2008 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan - Bronsveld, P.C.P. - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    C-AFM and X-TEM: studies of mixed-phase silicon thin films.
    [C-AFM a X-TEM: zkoumání heterostrukturních tenkých vrstev křemíku.]
    G.I.T. Imaging and Microscopy. Roč. 10, č. 1 (2008), s. 30-32. ISSN 1439-4243
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: conductive atomic force microscopy * cross-sectional transmission electron microscopy * silicon thin films
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160655
     
     
  7. 7.
    0087819 - FZÚ 2008 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Mates, Tomáš - Bronsveld, P.C.P. - Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    Structure of mixed-phase Si films studied by C-AFM and X-TEM.
    [Struktura smíšené fáze tenkých křemíkových vrstev studovaná pomocí vodivostního AFM a průřezového TEM.]
    Journal of Physics: Conference Series. Roč. 61, - (2007), s. 790-794. ISSN 1742-6588. E-ISSN 1742-6596
    Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAA1010413; GA ČR(CZ) GD202/05/H003
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: microcrystalline silicon * conductive AFM * cross-sectional TEM
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149563
     
     
  8. 8.
    0041425 - FZÚ 2007 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
    Gordijn, A. - Vaněček, Milan - Goedheer, W.J. - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    Influence of pressure and plasma potential on high growth rate microcrystalline silicon grown by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition.
    [Vliv tlaku a poteciálu plasmatu na rychlost růstu mikrokrystalického křemíku, připraveného ve vysokofrekvenčním plasmatu.]
    Japanese Journal of Applied Physics. Roč. 45, 8A (2006), s. 6166-6172. ISSN 0021-4922. E-ISSN 1347-4065
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: solar cells * microcrystalline silicon * plasma
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.222, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134895
     
     
  9. 9.
    0041137 - FZÚ 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Bronsveld, P.C.P. - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I. - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan
    Internal structure of mixed phase hydrogenated silicon thin films made at 39 degrees.
    [Vnitřní struktura hydrogenovaných křemíkových vrstev se smíšenou fází připravených při 39 st. Celsia.]
    Applied Physics Letters. Roč. 89, - (2006), 051922/1-051922/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: transmission electron microscope * atomic force microscope * silicon films
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.977, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134706
     
     
  10. 10.
    0040682 - FZÚ 2007 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Mates, Tomáš - Bronsveld, P.C.P. - Fejfar, Antonín - Rezek, Bohuslav - Kočka, Jan - Rath, J.K. - Schropp, R.E.I.
    Detailed structural study of low temperature mixed-phase Si films by X-TEM and ambient conductive AFM.
    [Detailní studium struktury nízkoteplotních Si vrstev se smíšenou strukturou pomocí X-TEM a atmosférického vodivostního AFM.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 352, - (2006), s. 1011-1015. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA AV ČR(CZ) IAA1010316; GA AV ČR(CZ) IAA1010413; GA ČR(CZ) GD202/05/H003
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: silicon * solar cells * plasma deposition * atomic force and scanning tunneling microscopy * TEM/STEM
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.362, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134348
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.