Výsledky vyhledávání
- 1.0396642 - ÚFE 2014 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Dickerson, J.H.
Improved speed of hydrogen detection by Schottky diodes on InP with electrophoretically deposited Pt nanoparticles and graphite contacts.
Sensors and Actuators B - Chemical. -, č. 184 (2013), s. 295-300. E-ISSN 0925-4005
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Metal nanoparticles * Keyed electrophoresis * Hydrogen sensors
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Impakt faktor: 3.840, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224428 - 2.0387579 - ÚFE 2013 RIV PL eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Černohorský, Ondřej - Yatskiv, Roman
Hydrogen sensors made on InP or GaN with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles.
Acta Physica Polonica A. Roč. 122, č. 3 (2012), s. 572-575. ISSN 0587-4246. E-ISSN 1898-794X
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.531, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220072 - 3.0387460 - ÚFE 2013 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Yatskiv, Roman
Schottky bariers on InP and GaN made by deposition of colloidal graphite and Pd, Pt or bimetal Pd/Pt nanoparticles for H2-gas detection.
Sensors and Actuators B - Chemical. Roč. 165, č. 1 (2012), s. 104-109. E-ISSN 0925-4005
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 3.535, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220075Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0387460.pdf 4 719.6 KB Jiná vyžádat - 4.0387292 - ÚFE 2013 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel
Graphite/InP and graphite/GaN Schottky barrier hydrogen sensors with electrophoretically deposited Pd or Pt nanoparticles.
Nanoscale Research Letters. Roč. 7, č. 415 (2012), s. 4151-4156. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.524, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220245 - 5.0382126 - ÚFE 2013 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Žďánský, Karel
High sensitivity hydrogen sensors based on GaN.
Physica status solidi C. Roč. 7, č. 9 (2012), s. 1661-1663. E-ISSN 1610-1642.
[16th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI). Stockholm, 19.06.2011-23.06.2011]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Pt nanoparticles * Graphite based Schottky diodes * Hydrogen sensor * GaN
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216539 - 6.0382124 - ÚFE 2013 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Žďánský, Karel - Piksová, K.
Semimetal graphite/ZnO Schottky diodes and their use for hydrogen sensing.
Carbon. Roč. 50, č. 10 (2012), s. 3928-3933. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Schottky diodes * ZnO * Hydrogen sensor
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 5.868, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0212439Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0382124.pdf 9 490.6 KB Jiná vyžádat - 7.0368785 - ÚFE 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Černohorský, Ondřej - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Kacerovský, Pavel - Piksová, K.
Palladium nanoparticles on InP for hydrogen detection.
Nanoscale Research Letters. Roč. 6, č. 410 (2011), s. 4101-4104. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KAN401220801; GA ČR GA102/09/1037
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: palladium * indium phosphide
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0203031 - 8.0368041 - ÚFE 2012 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Žďánský, Karel
Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers.
Journal of Instrumentation. Roč. 6, C01072 (2011), C010721-C010725. ISSN 1748-0221. E-ISSN 1748-0221
Grant CEP: GA AV ČR KJB200670901; GA MŠMT(CZ) OC10021; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Solid state detectors * Gamma detectors * Radiation-hard detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.869, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0202512Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0368041.pdf 1 130 KB Jiná vyžádat - 9.0368040 - ÚFE 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel
Highly sensitive hydrogen sensor based on graphite-InP or graphite-GaN Schottky barrier with electrophoretically deposited Pd nanoparticles.
Nanoscale Research Letters. Roč. 6, č. 490 (2011), s. 4901-49010. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0202511 - 10.0350407 - ÚFE 2011 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Matuchová, M. - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří
Lead iodide crystals prepared under stoichiometric and nonstoichiometric conditions.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 165, 1-2 (2010), s. 60-63. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[9TH International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies. Lodz, 01.06.2010-04.06.2010]
Grant CEP: GA ČR GC104/08/J025
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Semiconductors * Galvanomagnetic effects * Photoluminescence
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 1.568, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0190422