Výsledky vyhledávání
- 1.0304292 - URE-Y 20040021 ES eng A - Abstrakt
Matuchová, Marie - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Maixner, J.
Preparation of lead iodide as output material for x-ray detectors.
Badajoz: FORMATEX, 2003. Book of Abstracts 1st International Meeting on Applied Physics. s. 121
[APHYS-2003 /1./. 13.10.2003-18.10.2003, Badajoz]
Grant CEP: GA ČR GA102/03/0379; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043; GA ČR GA102/01/1338
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: lead compounds * zone melting * photoluminescence * electrical resistivity * rare earth metals
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114393 - 2.0304201 - URE-Y 20030073 ES eng A - Abstrakt
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Grym, Jan - Žďánský, Karel
Novel approaches to LPE preparation of high quality of InP semiconductor layers for radiation detectors.
Badajoz: FORMATEX, 2003. Book of Abstracts 1st International Meeting on Applied Physics. s. 201
[APHYS-2003 /1./. 13.10.2003-18.10.2003, Badajoz]
Grant CEP: GA ČR GA102/03/0379; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth compounds * photoluminescence * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114342 - 3.0304164 - URE-Y 20030024 FR eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.
BatzsurMer: Institut des Materiaux Jean Rouxel, 2003. Program and Abstracts DRIP X. s. 146
[DRIP /10./. 29.09.2003-02.10.2003, Batz-sur-Mer]
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067354
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: Hall effect * deep levels * light absorption
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114305 - 4.0304070 - URE-Y 20020114 AT eng A - Abstrakt
Horvath, Zs. J. - Rakovics, V. - Szentpáli, B. - Püspöki, S. - Žďánský, Karel
InP Schotky junctions for zero bias detector diodes.
Graz: University of Technology, 2002. Abstracts JVC-9. s. -
[Joint Vacuum Conference JVC /9./. 16.06.2002-20.06.2002, Schloss Seggau, Leibnitz by Graz]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: Schottky barriers * semiconductor technology
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://www.jvc9.tugraz.at/pm11.htm
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114214 - 5.0304059 - URE-Y 20020096 HU eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Hlídek, P. - Pekárek, Ladislav
Behaviour of manganese in InP in comparison with other impurities of 3d transition metals.
Budapest: Rese, 2002. Book of Abstracts EXMATEC'2002. s. 126-127
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. 26.05.2002-29.05.2002, Budapest]
Grant CEP: GA ČR GA106/99/1563; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: deep levels * semiconductor growth * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114203 - 6.0304046 - URE-Y 20020131 CZ eng A - Abstrakt
Zeipl, Radek - Lošťák, P. - Pavelka, Martin - Žďánský, Karel - Jelínek, Miroslav - Walachová, Jarmila
Thickness dependence of transport properties of Bi2Te3 layers.
Brno: Akademické nakladatelství CERM, 2002. ISBN 80-7204-258-0. NANO'02. - (Švejcar, J.; Šandera, P.). s. 68
[NANO'02. 19.11.2002-21.11.2002, Brno]
Grant CEP: GA ČR GA202/02/0098
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: thin films * materials properties * thermoelectricity
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114190 - 7.0304045 - URE-Y 20020083 HU eng A - Abstrakt
Zeipl, Radek - Pavelka, Martin - Jelínek, Miroslav - Chval, Jindřich - Lošťák, P. - Žďánský, Karel - Vaniš, Jan - Karamazov, S. - Vackova, S. - Walachová, Jarmila
Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation.
Budapest: Rese, 2002. Book of Abstracts EXMATEC'2002. s. 84
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. 26.05.2002-29.05.2002, Budapest]
Grant CEP: GA ČR GA202/02/0098
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: field emission electron microscopy * thermoelectric devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114189 - 8.0304013 - URE-Y 20020082 HU eng A - Abstrakt
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Grym, Jan
Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by LPE.
Budapest: Rese, 2002. Book of Abstracts EXMATEC'2002. s. 149
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. 26.05.2002-29.05.2002, Budapest]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: rare earth compounds * semiconductors * liqiud phase epitaxy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114157 - 9.0303985 - URE-Y 20020085 HU eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Budapest: Rese, 2002. Book of Abstracts EXMATEC'2002. s. 82-83
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. 26.05.2002-29.05.2002, Budapest]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * luminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114129 - 10.0303870 - URE-Y 20010052 PL eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
The comparison of the influence of Pr, Nd and Tb on the characteristics of InP epitaxial layers.
Warsaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2001. Jaszowiec 2001. s. 59
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds /30./. 01.06.2001-08.06.2001, Ustron-Jaszowiec]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114054