Výsledky vyhledávání
- 1.0393323 - ÚFE 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Leshkov, Sergey - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Vaniš, Jan
Integral and local density of states of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure observed by ballistic electron emission spectroscopy near one-electron ground state.
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 48, č. 1 (2013), s. 61-65. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759
Grant CEP: GA ČR GPP102/11/P824; GA ČR GAP102/10/1201
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271 ; RVO:67985556
Klíčová slova: quantum dots * scanning tunneling microscopy * ballistic transport
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.856, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0222094Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0393323.pdf 9 825.8 KB Jiná vyžádat - 2.0341441 - ÚFE 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vaniš, Jan - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Henini, M. - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard - Šroubek, Filip - Walachová, Jarmila
Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE.
Microelectronics Journal. Roč. 40, č. 3 (2009), s. 496-498. ISSN 0026-2692. E-ISSN 1879-2391
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10750506
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.778, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184437 - 3.0325803 - ÚFE 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk - Zelinka, Jiří - Komninou, Ph. - Delimitis, A. - Kehagias, Th. - Karakostas, Th.
Micropore modification in InP.
[Modifikace mikroporů v InP.]
Physica Status Solidi A. Roč. 205, č. 11 (2008), s. 2577-2580. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Porous semiconductors * semiconductors epitaxial layers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.205, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0173102 - 4.0308014 - ÚFE 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Vaniš, Jan - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard
Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure.
[Balistická elektronová emisní spektroskopie/mikroskopie samouspořádaných InAs kvantových teček různých velikostí v GaAs/AlGaAs heterostruktuře.]
Applied Physics Letters. Roč. 92, č. 12 (2008), 012101.1-012101.3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10750506; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.726, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160617 - 5.0304108 - URE-Y 20030036 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan - Podvalová, Zdislava - Zelinka, Jiří
Growth of triglycine sulphate single crystals doped with Pt/IV/ and L-Alanin.
Crystal Growth & Design. Roč. 3, č. 3 (2003), s. 393-395. ISSN 1528-7483. E-ISSN 1528-7505
Grant CEP: GA AV ČR IBS2067204; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: ferroelectricity * crystal growth * pyroelectric detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.742, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003148 - 6.0303403 - URE-Y 990025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Vaniš, Jan - Karamazov, Simeon - Cukr, Miroslav - Zich, P. - Chow, D. H. - McGill, T. C.
Testing of resonant tunneling double barrier heterostructures by BEEM/BEES.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 5 (1999), s. 833-836. ISSN 0011-4626.
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. Prague, 15.06.1998-17.06.1998]
Grant CEP: GA ČR GA102/97/0427
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: nanostructured materials * spectroscopy * semiconductor quantum wells
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.328, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003134 - 7.0303020 - URE-Y 970045 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Vaniš, Jan - Chow, D. H. - Schulman, J. N. - Karamazov, Simeon - Cukr, Miroslav - Zich, P. - Král, J. - McGill, T. C.
Probing of InAs/AlSb double barrier heterostructures by ballistic electron emission spectroscopy.
Applied Physics Letters. Roč. 70, č. 26 (1997), s. 3588-3590. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/94/1056
Klíčová slova: spectroscopy * semiconductor heterojunctions * semiconductor devices
Impakt faktor: 3.033, rok: 1997
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113308 - 8.0302515 - URE-Y 940038 US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Šroubek, Zdeněk - Zelinka, Jiří - Kot, Miroslav - Pittroff, W.
From InP/GaInAsP interface study to nanometer range heterostructure detection with probe method.
Journal of Vacuum Science & Technology A : Vacuum, Surfaces and Films. Roč. 12, č. 1 (1994), s. 312-316. ISSN 0734-2101. E-ISSN 1520-8559
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0130
Klíčová slova: impurity distribution * semiconductor junctions * measurement
Impakt faktor: 1.771, rok: 1994
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112894 - 9.0302314 - URE-Y 920074 CH eng J - Článek v odborném periodiku
Malina, Václav - Hájková, Eva - Zelinka, Jiří - Dapor, M. - Micheli, V.
Non-alloyed Ti/Au and Ti/Pt/Au ohmic contants to p-type InGaAsP.
Thin Solid Films. Roč. 223, č. 1 (1992), s. 146-153. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant ostatní: GA AV(CZ) 26711/91
Klíčová slova: ohmic contacts * optoelectronic devices * III-V semiconductors
Impakt faktor: 1.029, rok: 1992
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112777 - 10.0302311 - URE-Y 920071 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan - Vyhnalík, Luděk - Zelinka, Jiří
Preparation of high-quality InGaAsP/InP heterostructures for edge-emitting 1.3 ćm LED's.
Crystal Research and Technology. Roč. 28, č. 1 (1993), s. 19-27. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079
Grant CEP: GA ČR GA102/93/0642
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0120
Klíčová slova: light emitting diodes * III-V semiconductors * semiconductor materials * liquid phase epitaxial growth
Impakt faktor: 0.333, rok: 1993
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112774