Výsledky vyhledávání
- 1.0356263 - ÚFE 2012 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures.
Conference Proceedings ASDAM 2010. Piscataway: IEEE, 2010 - (Breza, J.; Donoval, D.), s. 275-278. ISBN 978-1-4244-8574-1.
[ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 25.10.2010-27.10.2010]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Chemical sensors * Interface phenomena * Semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194831 - 2.0346230 - ÚFE 2011 ES eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Yatskiv, Roman - Fojtík, A.
Electrophoretic deposition of palladium nanoparticles on InP for hydrogen sensors.
Trends in Nanotechnology (TNT2009). Barcelona: Universidad Autonoma de Barcelona, 2009, s. 12-12.
[Trends in Nanotechnology 2009 (TNT2009). Barcelona (ES), 07.09.2009-11.09.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA AV ČR(CZ) KAN401220801
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * Rare-earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005966 - 3.0346227 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
InGaAsP/InP infrared light emitting diodes prepared by liquid phase epitaxy from rare-earth treated melt.
XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2009, s. 129-129.
[XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj (PL), 19.06.2009-26.06.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * Rare-earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187303 - 4.0346198 - ÚFE 2011 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kacerovský, Pavel - Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Vaniš, Jan - Grym, Jan - Vasiliev, A. - Pašajev, E. M.
Microscopy of nanoparticles and films with nanoparticles.
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Praha: CSCA, 2009 - (Černý, R.; Fiala, J.; Hašek, J.), s. 38-39. ISSN 1211-5894.
[Stucture 2009, Colloquium Czech and Slovak Crystallographic Assosiation. Hluboká nad Vltavou (CZ), 22.06.2009-25.06.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA AV ČR(CZ) KAN401220801
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187284 - 5.0346171 - ÚFE 2011 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Yatskiv, Roman
Impact of Pr on the properties of InP based layers for light sources and detectors.
PHYSICA STATUS SOLIDI. Vol. C. WEINHEIM: WILEY, 2009 - (Correia, A.; Saenz, J.; Ordejon, P.), s. 2801-2803. C-Current Topics in Solid State Physics, 6, 10. ISSN 1610-1634.
[15th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XV). Vilnius (LT), 15.06.2009-19.06.2009]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: detection * radiation
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187265 - 6.0346128 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Purification Action of Rare-Earth Elements in the LPE Growth of III-V Semiconductors: Feedback Phenomena.
ASDAM 2008, CONFERENCE PROCEEDINGS. NEW YORK: IEEE, 2008 - (Hascik, S.; Osvald, J.), s. 259-262. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[7th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors * Rare-earth elements * feedback
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187232 - 7.0346036 - ÚFE 2011 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE Growth of III-V Semiconductors from rare-earth Treated Melts.
Proceedings of the 18th Joint seminar Development of materials science in research and education. Praha: Czechoslovak association for crystal growth, 2008 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 16-17. ISBN 978-80-254-0864-3.
[18. Development of Materials Science in Research and Education. Hnanice (CZ), 02.09.2008-05.09.2008]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187165 - 8.0346035 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for the radiation detection structures.
EXMATEC 2008. Lodž: IEEE, 2008 - (Ciupa, E.; Sibinski, M.; Podgorski, J.; Bielska, S.), s. 171-172. ISBN 978-83-915220-1-1.
[9TH International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies. Lodž (PL), 01.06.2008-04.06.2008]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187164 - 9.0346031 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of rare-earth elements in the design of radiation detectors and electroluminescent sources.
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), s. 107-110. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[The Seventh International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187162 - 10.0308798 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Žďánský, Karel
Influence of Yb and Yb2O3 on the properties of InP layers.
[Vliv Yb a Yb2O3 na vlastnosti InP vrstev.]
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2008, ---. ISBN 978-1-4244-2258-6. ISSN 1092-8669.
[IPRM 2008 - Indium Phosphide and Related Materials Conference /20./. Versailles (FR), 25.05.2008-29.05.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * indium compounds * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161159