Výsledky vyhledávání
- 1.0396844 - ÚFE 2014 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Lomov, A. A. - Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Orehov, A.S. - Vasil'ev, A. L. - Novikov, D. V.
High-resolution X-ray diffraction and electron microscopy study of porous GaAs substrates.
International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012 (Proc. SPIE 8700). BELLINGHAM: SPIE, 2013 - (Orlikovsky, A.). ISBN 9780819494870. ISSN 0277-786X.
[International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012. Zvenlgorod (RU), 01.10.2012-5.10.2012]
Grant CEP: GA MŠMT LD12014
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Etching * Diffraction * Galllium arsenide
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224551 - 2.0396817 - ÚFE 2014 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Vaniš, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Piksová, K.
Strain accommodation within porous buffer layers in heteroepitaxial growth.
ASDAM 2012 - Conference Proceedings: The 9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. New York: IEEE, 2012 - (Hascik, S.; Osvald, J.), s. 235-238. ISBN 978-1-4673-1197-7.
[9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM). Smolenice Castle (SK), 11.11.2012-15.11.2012]
Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034; GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
Klíčová slova: Epitaxial growth * Gaas * Porous substrates
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika; JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika (FZU-D)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224518 - 3.0387722 - ÚFE 2013 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hamplová, Marie
LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES.
NANOCON 2012, 4th International Conference Proceedings. Ostrava: TANGER Ltd, 2012. ISBN 978-80-87294-32-1.
[NANOCON 2012. International Conference /4./. Brno (CZ), 23.10.2012-25.10.2012]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Porous III-V semiconductors * Electrochemical etching * Pores conversion
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216684 - 4.0374726 - ÚFE 2012 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
III-V semiconductors grown on porous substrates.
EWMOVPE XIV-European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Wroclaw: Technická univerzita, 2011 - (Pražmowska, J.), s. 71-74. ISBN 978-83-7493-599-9.
[European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: porous semiconductors * heterotransitions * electrochemical etching of metals
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006909 - 5.0374724 - ÚFE 2013 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Applications of porous III-V semiconductors in heteroepitaxial growth and in preparation of nanocomposite structures.
NANOCON 2011, Conference Proceedings, 3 rd International Conference. Brno: TANGER Ltd., Ostrava, 2011, s. 150-154. ISBN 978-80-87294-27-7.
[NANOCON 2011. International Conference /3./. Brno (CZ), 21.09.2011-23.09.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: porous semiconductors * heterotransitions * electrochemical etching of metals
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216241 - 6.0372415 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Mid-infrared light emitting diodes and high-speed photodiodes based on type II heterostructures with deep AlSb/InAsSb/AlSb quantum wells in an active region.
Compound Semiconductor Week. 38th International Symposium on Compound Semiconductors - ISCS 2011. Berlin: N, 2011, s. 62-63. ISBN N.
[International Symposium on Compound Semiconductors/38./ - ISCS-2011. Berlin (DE), 22.05.2011-26.05.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: porous structures * epitaxial growth * nanopores
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205738 - 7.0356273 - ÚFE 2011 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Žďánský, Karel - Yatskiv, Roman - Zavadil, Jiří - Kostka, František - Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Vaniš, Jan - Lorinčík, Jan
Metal nanoparticle films deposited by electrophoresis on semiconductor III-V-N compounds.
E-MRS 2010, Spring Meeting. Strasbourg: E-MRS Headquarters, 2010, G2-G7.
[E-MRS Spring Meeting. STRASBOURG (FR), 07.06.2010-11.06.2010]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021; GA AV ČR(CZ) KAN401220801
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194837 - 8.0356075 - ÚFE 2012 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan
METALIC NANOPARTICLES AND NANOSTRUCTURES.
Metal 2010. 19th International conference on metallurgy and materials - Conference Proceedings. Ostrava: Tanger s.r.o., 2010, s. 12-18. ISBN 978-80-87294-17-8.
[Metal 2010. International Conference on Metallurgy and Materials /19./. Rožnov pod Radhoštěm (CZ), 18.05.2010-20.05.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: nanocrystalline material * metallic material
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194694Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0356075.pdf 0 234.3 KB Jiná vyžádat - 9.0356074 - ÚFE 2012 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Grym, Jan - Jarchovský, Zdeněk
MO CVD growth of ZnO with different growth rate.
Conference Proceedings ASDAM 2010. Piscataway: IEEE, 2010 - (Breza, J.; Donoval, D.), s. 187-190. ISBN 978-1-4244-8574-1.
[ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 25.10.2010-27.10.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: ZnO * MOCVD * Growth rate
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194693 - 10.0356060 - ÚFE 2012 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar … celkem 6 autorů
ZnO NANOPARTICLES AND THEIR APPLICATIONS – NEW ACHIEVMENTS.
CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010. Ostrava: TANGER, 2010 - (Zbořil, R.), s. 89-94. ISBN 978-80-87294-19-2.
[NANOCON 2010. International Conference /2./. Olomouc (CZ), 12.10.2010-14.10.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: ZnO * MOCVD * Applications development ZnO
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194680