Výsledky vyhledávání
- 1.0376501 - ÚFE 2013 CZ eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Jarchovský, Zdeněk - Piksová, K.
Electron Microscopy of Porous Semiconductors.
Mikroskopie 2011. Praha: Československá mikroskopická společnost, 2011 - (Frank, L.; Hozák, P.). s. 44-44
[Mikroskopie 2011. 17.02.2011-18.02.2011, Nové Město na Moravě]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: electron microscopy * porous semiconductors * semiconductor technology
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0208882 - 2.0304094 - URE-Y 20030109 GB eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan - Krier, A.
Structural midifications of InAs based materials for mid-infrared optoelectronic devices.
London: IOP, 2002. Europhysics Conference Abstracts., 26A. The Physics Congress 2002. Abstract Book. s. 60
[Physics Congress 2002 and General Conference of the EPS Condensed Matter Division - CMD /19./ held jointly with Condensed Matter and Material Physics - CMMP 2002. 07.04.2002-11.04.2002, Brighton]
Grant CEP: GA AV ČR IAA2067901
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: etching
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114237 - 3.0304093 - URE-Y 20030108 GB eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan - Krier, A.
Point defects creation during surface reconstruction.
London: IOP, 2002. Europhysics Conference Abstracts., 26A. The Physics Congress 2002. Abstract Book. s. 60
[Physics Congress 2002 and General Conference of the EPS Condensed Matter Division - CMD /19./ held jointly with Condensed Matter and Material Physics - CMMP 2002. 07.04.2002-11.04.2002, Brighton]
Grant CEP: GA AV ČR IAA2067901
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: MOCVD
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114236 - 4.0303663 - URE-Y 20000145 CZ cze A - Abstrakt
Nohavica, Dušan
Modelování růstu polovodičů A3B5 v technologii MO VPE.
[Simulation of the A3B5 growth proces in MO VPE technology.]
Praha: Jednota československých matematiků a fyziků, 2000. ISBN 80-7015-720-8. Sborník příspěvků ze semináře OS Polovodiče FVS JČMF. - (Hulicius, E.; Humlíček, J.; Velický, B.). s. 18
[Liblice 2000. 31.01.2000-02.02.2000, Liblice]
Grant CEP: GA AV ČR IAA2067901
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: MOCVD * semiconductor epitaxial layers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113851 - 5.0303325 - URE-Y 980145 CZ eng A - Abstrakt
Bludská, Jana - Jakubec, Ivo - Pekárek, Ladislav - Nohavica, Dušan
InP, GaP and GaInP for the water photolysis by solar energy.
Prague: IREE AS CR, 1998. ISBN 80-86269-019. AMFO'98. - (Procházková, O.). s. 23
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. 15.06.1998-17.06.1998, Prague]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Klíčová slova: III-V semiconductors * semiconductor devices * cells-electric
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113571 - 6.0303324 - URE-Y 980129 CZ eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Žďánský, Karel
Preparation and properties of thick GaInP(As)/GaAs layers for optoelecronic applications.
Prague: IREE AS CR, 1998. ISBN 80-86269-019. AMFO'98. - (Procházková, O.). s. 22
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. 15.06.1998-17.06.1998, Prague]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Klíčová slova: gallium compounds * epitaxial growth * photoluminescence * Hall effect
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113570 - 7.0303323 - URE-Y 980144 CZ eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan
GaInAsP/InP DC PBH lasers emitting in the wavelenght region 1.07-1.67 ćm.
Prague: IREE AS CR, 1998. ISBN 80-86269-019. AMFO'98. - (Procházková, O.). s. 3
[Czech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98. 15.06.1998-17.06.1998, Prague]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Klíčová slova: semiconductor lasers
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113569 - 8.0303270 - URE-Y 980143 CZ eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan
Surface reconstruction in MO VPE grown GaAs.
Praha: MAXDORF, 1998. ISBN 80-85800-91-8. Development of Materials Science in Research and Education. Abstracts of the 8th joint seminar. - (Nitsch, K.; Rodová, M.). s. 4
[Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 1998 /8./. 08.09.1998-10.09.1998, Zlenice]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1238
Klíčová slova: crystal growth * epitaxial layers * semiconductors
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113516 - 9.0303063 - URE-Y 970077 SK eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan
Surface reconstruction processes in the scope of the BCF theory of crystal growth.
[Bratislava]: [Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences], 1997. HEAD'97. s. -
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices /3./. 12.10.1997-16.10.1997, Smolenice]
Klíčová slova: semiconductor epitaxial layers * semiconductor materials * III-V semiconductors
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113351 - 10.0302966 - URE-Y 960099 CZ eng A - Abstrakt
Nohavica, Dušan
LPE growth method possibilities in A3B5 semiconductors preparation.
Prague: Czechoslovak Associaton for Crystal Growth, 1996. ISBN 80-85800-50-0. Development of Materials Science in Research and Education. - (Nitsch, K.; Rodová, M.). s. 1
[Rozvoj materiálových věd ve výzkumu a výuce. 17.09.1996-19.09.1996, Karlštejn]
Klíčová slova: semiconductor materials * III-V semiconductors * semiconductor epitaxial layers
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113255