Výsledky vyhledávání
- 1.0303459 - URE-Y 990040 SK cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Malina, Václav
Úvod do vakuového napařování.
[Introduction to vacuum evaporation.]
Bratislava: STU, 1999. ISBN 80-227-1192-6. In: Škola vákuovej techniky 1999. Zborník prednášok. - (Dubravcová, V.; Řepa, P.), s. 13-23
[Letní škola Vakuová technika. Bystrianska dolina, N. Tatry (SK), 24.05.1999-27.05.1999]
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: vacuum techniques * evaporation * thin films
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113674 - 2.0303199 - URE-Y 980009 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Malina, Václav - Žďánský, Karel - Vogel, K. - Ressel, P. - Pécz, B.
Ti/Pt/Au and WSiN/Ti/Pt/Au Schottky contacts to n-type InGaP epitaxial layers.
Dordrecht: Kluwer, 1998. NATO Science Series 3., 48. ISBN 0-7923-5013-8. In: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD'97. - (Kordoš, P.; Novák, J.), s. 293-296
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices /3./. Smolenice (SK), 12.10.1997-16.10.1997]
Klíčová slova: III-V semiconductors * ohmic contacts * semiconductors * interface phenomena
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113445 - 3.0302967 - URE-Y 960100 US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Malina, Václav - Moro, L.
The role of Ru in improving Au-Be ohmic contacts to p-type InP.
Piscataway: IEEE, 1996. ISBN 0-7803-3283-0. In: IPRM'96., s. 342-345
[Indium Phosphide and Related Materials /8./. Schwabisch Gmünd (DE), 21.04.1996-25.04.1996]
Grant CEP: GA ČR GA102/94/1059
Klíčová slova: indium compounds * ohmic contacts * semiconductor-metal boundaries
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113256 - 4.0302963 - URE-Y 960096 NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vogel, K. - Malina, Václav - Ressel, P.
Ti/Pt/Au Ohmic Contacts to P-Type InGaP.
Dordrecht: Kluwer Academic, 1996. NATO ASI Series 3., 11. ISBN 0-7923-4018-3. In: Heterostructure Epitaxy and Devices. - (Novák, J.; Schlachetzki, A.), s. 221-224
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD '95 /2./. Smolenice (SK), 15.10.1995-19.10.1995]
Grant CEP: GA ČR GA102/94/1059
Klíčová slova: III-V semiconductors * ohmic contacts * semiconductor-metal boundaries
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113252 - 5.0302732 - URE-Y 950050 SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vogel, K. - Malina, Václav - Ressel, P.
Ohmic Contacts to P-Type InGaP.
Bratislava: IEE SAC, 1995. In: HEAD'95., s. -
[NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD '95 /2./. Smolenice (SK), 15.10.1995-19.10.1995]
Grant ostatní: DE-CZ Joint Research Project URE/FBH(DE) PT 129
Klíčová slova: III-V semiconductors * ohmic contacts * semiconductor-metal boundaries
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113079 - 6.0302420 - URE-Y 930029 SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Berková, Daniela - Zelinka, Jiří - Zavadil, Jiří - Malina, Václav
Regrowth of the GaInAsP/InP DC PBH lasers with "BULK" and strained MQW active layers.
[Bratislava]: [Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences], 1993. In: Heterostructure epitaxy and devices., s. -
[Workshop. Smolenice (SK), 17.10.1993-21.10.1993]
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0121
Klíčová slova: semiconductor quantum wells * semiconductor lasers * semiconductor superlattices
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112839 - 7.0302315 - URE-Y 920075 US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dobos, L. - Kovács, B. - Mojzes, I. - Malina, Václav - Pécz, B. - Karányi, J.
The volatile component loss and the surface morphology of the gold-palladium metallizations to the compound semiconductor structures.
Pitsburgh: MRS, 1992. In: Material Research Society Symposium Proceeding., s. 641-646
[MRS-Spring Meeting. San Francisco (US), 27.04.1992-01.05.1992]
Klíčová slova: ohmic contacts * optoelectronic devices * III-V semiconductors
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112778 - 8.0302276 - URE-Y 920036 CS1 eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Těmínová, Jana - Berková, Daniela - Zelinka, Jiří - Zahrádková, Milena - Zavadil, Jiří - Malina, Václav
1.07 - 1.67 ćm GaInAsP/InP DC PBH injection lasers.
Praha: ROZVID, 1992. In: Fotonika'92. Sborník referátů., s. 247-253
[Fotonika'92. Olomouc (CS), 08.09.1992-11.09.1992]
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0120
Klíčová slova: III-V semiconductors * semiconductor lasers
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112742 - 9.0302135 - URE-Y 910022 US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pécz, B. - Veresegyházy, R. - Mojzes, J. - Radnóczi, G. - Sulyok, A. - Malina, Václav
Thermal behaviour of Au/Pd/GaAs contacts.
San Francisco: MRS, 1990. In: Materials research society symposium. Proceeding 181., s. 319-324
[Materials Research Society 1990 Spring Meeting. San Francisco (USA), 00.04.1990-00.04.1990]
Klíčová slova: electrical contacts * semiconductor-metal boundaries
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112631 - 10.0302036 - URE-Y 900060 CS1 cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Starosta, Karel - Kortán, Josef - Nohavica, Dušan - Zavadil, Jiří - Puchta, Miloš - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Berková, Daniela
Superluminiscenční dioda pro pásmo 1300 ćm.
Praha: Tesla VÚST, 1989. In: Dny nové techniky 1989., s. 19-28
[Dny nové techniky 1989. Praha (CS), 01.06.1989-07.06.1989]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112535