Výsledky vyhledávání
- 1.0368785 - ÚFE 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Černohorský, Ondřej - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Kacerovský, Pavel - Piksová, K.
Palladium nanoparticles on InP for hydrogen detection.
Nanoscale Research Letters. Roč. 6, č. 410 (2011), s. 4101-4104. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KAN401220801; GA ČR GA102/09/1037
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: palladium * indium phosphide
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0203031 - 2.0346170 - ÚFE 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Kacerovský, Pavel - Fojtík, A.
Deposition of Pd Nanoparticles on InP by Electrophoresis: Dependence on Electrode Polarity.
IEEE Transactions on Nanotechnology. Roč. 9, č. 3 (2010), s. 355-360. ISSN 1536-125X. E-ISSN 1941-0085
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KAN401220801; GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Electrophoresis * nanoparticles * Schottky barrier
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.864, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187264 - 3.0341170 - ÚFE 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Kacerovský, Pavel - Lorinčík, Jan - Vaniš, Jan - Kostka, František - Černohorský, O. - Fojtík, A. - Reboun, J. - Čermák, Jan
Electrophoresis deposition of metal nanoparticles with reverse micelles onto InP.
International Journal of Materials Research. Roč. 100, č. 9 (2009), s. 1234-1238. ISSN 1862-5282. E-ISSN 2195-8556
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z50200510; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: semiconductor junctions * nanostructures * semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.862, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184242 - 4.0304148 - URE-Y 20030099 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Physica Status Solidi C. Roč. 0, č. 3 (2003), s. 862-866. ISSN 1610-1634.
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest, 26.05.2002-29.05.2002]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114289 - 5.0303845 - URE-Y 20010117 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Kacerovský, Pavel
Evaluation of semi-insulating Ti-doped and Mn-doped InP for radiation detection.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 16, č. 12 (2001), s. 1002-1007. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR GA106/99/1563; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * particle detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.079, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114029 - 6.0303603 - URE-Y 20000038 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Kacerovský, Pavel
Temperature change of the conductivity type in semi-insulating InP double doped with Zn and Fe.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 15, č. 3 (2000), s. 297-300. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant ostatní: GA€R(CZ) GA106/99/1563
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.169, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113791 - 7.0302246 - URE-Y 920006 CH eng J - Článek v odborném periodiku
Kacerovský, Pavel - Žďánský, Karel
Testing of GaAs:Si layers and substrates by the point-contact voltage.
Crystal Properties and Preparation. 32-34, - (1991), s. 251-255. ISSN 0252-1067.
[International Conference on Epitaxial Crystal Growth /1./. Budapest, 01.04.1990-07.04.1990]
Klíčová slova: materials testing
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112712 - 8.0302227 CH eng J - Článek v odborném periodiku
Kacerovský, Pavel
X-ray difractometry of very thin LPE InGaAsP and InP layers.
Crystal Properties and Preparation. 19-20, - (1989)
[Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors /3./. Tatranská Lomnica, 28.11.1988-01.12.1988]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112694 - 9.0090125 - ÚFE 2008 RIV RU rus J - Článek v odborném periodiku
Subbotin, I. A. - Čujev, M. A. - Pašajev, E. M. - Imamov, R. M. - Galiev, G. B. - Tichomirov, S. A. - Kacerovský, Pavel
Rentgenovskaja diagnostika psevdomorfnoj AlGaAs/InGaAs/GaAs – kompozicii.
[X-Ray diagnostic of the pseudomorph AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure.]
Kristallografija. Roč. 52, č. 4 (2007), s. 638-644. ISSN 0023-4761
Grant CEP: GA ČR GA202/06/1315
Grant ostatní: RFFI(RU) 05-02-17585; NŠ(RU) 5133.2006.2
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Zdroj financování: O - operační programy ; O - operační programy
Klíčová slova: diffraction * semiconductor thin films * X-ray spetrometers
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0151125 - 10.0087823 - ÚFE 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Kacerovský, Pavel - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Fojtík, A.
Layers of metal nanoparticles on semiconductors deposited by electrophoresis from solutions with reverse micelles.
[Vrstvy kovových nanočástic na polovodičích deponované elektroforézou z roztoku s reversními mecellemi.]
Nanoscale Research Letters. Roč. 2, č. 9 (2007), s. 450-454. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X.
[Semiconducting & Insulating Materials Conference - SIMC /14./. Fayetteville, 15.05.2007-20.05.2007]
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor junctions * nanostructured materials * semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.158, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149565