Výsledky vyhledávání
- 1.0387602 - ÚFE 2013 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Žďánský, Karel - Vaniš, Jan - Černohorský, Ondřej - Kacerovský, Pavel - Fojtík, A.
Graphite/n-InP Schottky barrier with electrophoretically deposited Pt nanoparticles for hydrogen and nitrogen-monoxide detection.
NANOCON 2012, 4th International Conference Proceedings. Ostrava: TANGER Ltd, 2012. ISBN 978-80-87294-32-1.
[NANOCON 2012. International Conference /4./. Brno (CZ), 23.10.2012-25.10.2012]
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219995Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0387602.pdf 63 551.6 KB Jiná povolen - 2.0346198 - ÚFE 2011 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kacerovský, Pavel - Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Vaniš, Jan - Grym, Jan - Vasiliev, A. - Pašajev, E. M.
Microscopy of nanoparticles and films with nanoparticles.
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Praha: CSCA, 2009 - (Černý, R.; Fiala, J.; Hašek, J.), s. 38-39. ISSN 1211-5894.
[Stucture 2009, Colloquium Czech and Slovak Crystallographic Assosiation. Hluboká nad Vltavou (CZ), 22.06.2009-25.06.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA AV ČR(CZ) KAN401220801
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187284 - 3.0346197 - ÚFE 2011 LU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Kacerovský, Pavel - Kostka, František - Yatskiv, Roman - Fojtík, A. - Muller, M.
Study of metal nanoparticle layers for envinmental gas sensors.
EuroNanoForum 2009 - Nanotechnology for Sustainable Economy. Luxembourg: Office for Official Publications of the European Communities, 2009 - (Fantechi, S.; Havlíčková, L.; Svobodová, E.; Fryček, R.; Albrecht, V.), s. 136-136. ISBN 978-92-79-11109-9.
[Euro Nano Forum 2009. Praha (CZ), 02.06.2009-05.06.2009]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KAN401220801
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187283 - 4.0346172 - ÚFE 2011 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Kacerovský, Pavel - Kostka, František - Fojtík, A.
Electrophoretic deposition of reverse micelle metal nanoparticles.
PHYSICA STATUS SOLIDI. Vol. C. WEINHEIM: WILEY, 2009 - (Correia, A.; Saenz, J.; Ordejon, P.), s. 2722-2724. C-Current Topics in Solid State Physics, 6, 10. ISSN 1610-1634.
[15th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XV). Vilnius (LT), 15.06.2009-19.06.2009]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: detection * radiation
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187266 - 5.0346028 - ÚFE 2011 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Kacerovský, Pavel - Kostka, František - Lorinčík, Jan - Černohorský, O. - Fojtík, A. - Müller, M. - Kostejn, M.
Films of Metal Nanoparticles Deposited on Semiconductors by Electrophoresis: Technology and Characterization.
NANOCON 2009 Conference Proceedings. Ostrava: TANGER, 2009, s. 171-178. ISBN 978-80-87294-13-0.
[NANOCON 2009. Rožnov pod Radhoštěm (CZ), 20.10.2009-22.10.2009]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KAN401220801; GA ČR GA102/09/1037
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor devices * nanostructures * sensors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187160 - 6.0303819 - URE-Y 20010057 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Kacerovský, Pavel
Evaluation of InP:Ti and InP:Mn and its use for particle detectors.
Piscataway: IEEE, 2001. ISBN 0-7803-6506-2. In: 2000 IEEE Nuclear Symposium Conference Record., s. 4/132-4/136
[2000 IEEE Nuclear Symposium Conference Record. Lyon (FR), 15.10.2000-30.10.2000 (K)]
Grant CEP: GA ČR GA106/99/1563; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4044
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * particle detectors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114003 - 7.0302695 - URE-Y 950013 CZ cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Novotný, Jan - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
RTG stanovení mřížkového přizpůsobení polovodičových heterostructur InGaAsP/InP.
Liberec: Technická universita, 1995. In: 100 let od objevu rentgenového záření. - (Sodomka, L.; Čmelík, M.), s. 26-28
[Seminář k 100. výročí objevu rentgenového záření. Liberec (CZ), 14.09.1995-15.09.1995]
Grant CEP: GA ČR 102/93/0640
Klíčová slova: semiconductor devices
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113042 - 8.0302306 - URE-Y 920066 CS1 cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kacerovský, Pavel
Difraktometrie na štěpných plochách laserových monokrystalických heterostruktur.
Olomouc: Universita Palackého, 1992. ISBN 80-7067-103-3. In: Reálná struktura látek., s. 229-234
[Reálná struktura látek. Vojtěchov na Moravě (CS), 18.05.1992-22.05.1992]
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0130
Klíčová slova: test equipment * materials testing * electrical faults * crystal defects
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112770 - 9.0302245 - URE-Y 920005 CH eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kacerovský, Pavel - Žďánský, Karel
Testing of GaAs:Si layers and substrates by the point-contact voltage.
Zürich: Trans.Tech.Publ., 1991. ISBN 0-87849-616-5. In: Epitaxial crystal growth. Proceedings of the 1st international conference on epitaxial crystal growth. - (Lendvay, E.), s. 251-255
[International Conference on Epitaxial Crystal Growth /1./. Budapest (HU), 01.04.1990-07.04.1990]
Klíčová slova: materials testing
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112711 - 10.0302105 - URE-Y 900132 CS1 eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kacerovský, Pavel
X-ray difractometry of very thin LPE InGaAsP and InP layers.
Bratislava: Institute of Electronics Engineering Slovak Academy of Sciences, 1988. In: 3. conference on physics and technology of GaAs and other III-V semiconductors. Proceedings., s. 13-16
[Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors /3./. Tatranská Lomnica (CS), 28.11.1988-01.12.1988]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112604