Výsledky vyhledávání
- 1.0303985 - URE-Y 20020085 HU eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Budapest: Rese, 2002. Book of Abstracts EXMATEC'2002. s. 82-83
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. 26.05.2002-29.05.2002, Budapest]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor materials * luminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114129 - 2.0303739 - URE-Y 20000129 FR eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Kacerovský, Pavel
Evaluation of InP:Ti and InP:Mn and its use for particle detectors.
Lyon: Nuclear & Plasma Sciences Society, 2000. Book of Abstracts 2000 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference including Sessions on Nuclear Power Systems. s. 28
[IEEE 2000 NSS - MIC. 15.10.2000-20.10.2000, Lyon]
Grant CEP: GA ČR GA106/99/1563
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductor doping * semiconductor materials * particle spectrometers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113926 - 3.0303664 - URE-Y 20000128 CZ cze A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Kacerovský, Pavel
Teplotní změny vodivosti v semiisolačním InP s dvojitou dotací zinkem a železem.
[Temperature change of the conductivity type in semi-insulating InP double doped with zinc and iron.]
Praha: Jednota československých matematiků a fyziků, 2000. ISBN 80-7015-720-8. Sborník příspěvků ze semináře OS Polovodiče FVS JČMF. - (Hulicius, E.; Humlíček, J.; Velický, B.). s. 38
[Liblice 2000. 31.01.2000-02.02.2000, Liblice]
Grant CEP: GA ČR GA106/99/1563
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113852 - 4.0083002 - ÚFE 2007 US eng A - Abstrakt
Žďánský, Karel - Kacerovský, Pavel - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Fojtík, A.
Layers of metal nanoparticles on semiconductors deposited by electrophoresis from solutions with reverse micelles.
[Vrstvy kovových nanočástic na polovodičích deponované elektroforézou z roztoku s reversními mecellemi.]
Abstracts of the Semiconducting & Insulating Materials Conference - SIMC XIV. Fayetteville: University of Arkansas, 2007. s. t0110063--.
[Semiconducting & Insulating Materials Conference - SIMC /14./. 15.05.2007-20.05.2007, Fayetteville]
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor junctions * nanostructured materials * semicpnductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0146394 - 5.0029734 - ÚFE 2006 RU rus A - Abstrakt
Prochorov, D. Ju. - Sutyrin, A. G. - Lomov, A. A. - Kacerovský, Pavel - Vasil'evskij, I. S. - Kulbačinskij, V. A. - Galiev, G. B.
Vozmožnosti rentgenovskoj difraktometrii i reflektometrii v charakterizacii nizkorazmernych vnutrennich sloev geterosistem na osnove A3 B5
[Possibilities of X-ray diffractrometry and refractrometry to characterize the lowly-dimensional submarge layers in A3 B5 type heterostructures.]
Tezisy dokladov. V Nacional'naja konferencija po primeneniju Rentgenovskogo, Sinchrotronnogo izlučenij, Nejtronov i elektronov dlja issledovanija nanomaterialov i nanosloev. RSNE NANO – 2005. Moskva: Institut kristallografii imeni A. V. Šubnikova Rossijskoj Akademii Nauk, 2005. s. 250.
[Nacional'naja konferencija po primeneniju Rentgenovskogo, Sinchrotronnogo izlučenij, Nejtronov i elektronov dlja issledovanija nanomaterialov i nanosloev. RSNE NANO – 2005 /5./. 14.11.2005-19.11.2005, Moskva]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: superlattices * thickness measurement * X-ray diffraction
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0119538 - 6.0029684 - ÚFE 2006 RU rus A - Abstrakt
Pašaev, E. M. - Imamov, R. M. - Mokerov, V. G. - Kacerovský, Pavel - Subbotin, I. A. - Tomilina, G. Ju. - Fjodorov, Ju. V.
Diagnostika rosta geterostruktur InxGa1-xAs/InyAl1-yAs na podložkach InP.
[Growth diagnostic of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs heterostructures on InP substrates.]
Tezisy dokladov. XI Nacional'naja konferencija po rostu kristallov. NKRK -2004. Moskva: Institut kristallografii imeni A. V. Šubnikova Rossijskoj Akademii Nauk, 2004. s. 372.
[Nacional'naja konferencija po rostu kristallov NKRK -2004 /11./. 14.12.2004-17.12.2004, Moskva]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: molecular beam epitaxial growth * X-ray diffraction * materials testing
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0119493 - 7.0029677 - ÚFE 2006 RU rus A - Abstrakt
Lomov, A. A. - Stepancov, A. E. - Kacerovský, Pavel
Sozdanije ob'emnych p-n perechodov v poluprovodnikovych bikristallach metodom tverdofaznogo sraščivanija.
[Creating of voluminous p-n junctions in the semiconductors bicristals by solid state fusion.]
Tezisy dokladov. XI Nacional'naja konferencija po rostu kristallov. NKRK -2004. Moskva: Institut kristallografii imeni A. V. Šubnikova Rossijskoj Akademii Nauk, 2004. s. 154.
[Nacional'naja konferencija po rostu kristallov NKRK -2004 /11./. 14.12.2004-17.12.2004, Moskva]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: bicrystals * p-n junctions * X-ray diffraction
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0119489