Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0480688 - ÚSMH 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Kostka, Petr - Kabalci, I. - Tay, T. - Gladkov, Petar - Zavadil, Jiří
    Investigation of Er doped zinc borate glasses by low-temperature photoluminescence.
    Journal of Luminescence. Roč. 192, DEC 2017 (2017), s. 1104-1109. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
    Institucionální podpora: RVO:67985891 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: borate glasses * rare-earth ions * stark levels * photoluminiscence
    Obor OECD: Ceramics; Ceramics (URE-Y)
    Impakt faktor: 2.732, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0276397
     
     
  2. 2.
    0469441 - ÚFE 2017 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Černohorský, Ondřej - Vaniš, Jan - Maixner, J. - Dickerson, J.H.
    Room temperature hydrogen sensing with the graphite/ZnO nanorod junctions decorated with Pt nanoparticles.
    Solid-State Electronics. Roč. 116, February (2016), s. 124-129. ISSN 0038-1101. E-ISSN 1879-2405
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LD14111; GA ČR(CZ) GA15-17044S
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Graphite based junction * Hydrogen sensor * Electrophoretic deposition
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Impakt faktor: 1.580, rok: 2016
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267239
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0469441.pdf61.7 MBJinávyžádat
     
     
  3. 3.
    0460279 - ÚFE 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Baravets, Yauhen - Honzátko, Pavel - Todorov, Filip - Gladkov, Petar
    Narrowband widely tunable CW mid-infrared generator based on difference frequency generation in periodically poled KTP and KTA crystals.
    Optical and Quantum Electronics. Roč. 48, č. 5 (2016), May. ISSN 0306-8919. E-ISSN 1572-817X
    Grant CEP: GA MŠMT LD14112
    Grant ostatní: COST(XE) MP1204
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Fiber optics amplifiers * Difference-frequency generation * Mid-infrared tunable laser source
    Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
    Impakt faktor: 1.055, rok: 2016
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0260399
     
     
  4. 4.
    0447827 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
    Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601
     
     
  5. 5.
    0436359 - ÚFE 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Yatskiv, Roman - Brus, V.V. - Verde, Maria - Grym, Jan - Gladkov, Petar
    Electrical and optical properties of graphite/ZnO nanorods heterojunctions.
    Carbon. Roč. 77, October (2014), s. 1011-1019. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LD14111
    Grant ostatní: COST(XE) TD1105
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Current transport mechanism * Semiconductor diodes * Nanorods
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Impakt faktor: 6.196, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0240120
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0436359.pdf111.8 MBJinávyžádat
     
     
  6. 6.
    0431319 - FZÚ 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dimitrakopulos, G.P. - Bazioti, C. - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Komninou, Ph.
    Misfit dislocation reduction in InGaAs epilayers grown on porous GaAs substrates.
    Applied Surface Science. Roč. 306, Jul (2014), s. 89-93. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
    Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: compound semiconductors * InGaAs * porous substrate * misfit dislocations * strain
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.711, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0235904
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0431319.pdf71.5 MBJinávyžádat
     
     
  7. 7.
    0428421 - ÚFE 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Komninou, Ph. - Gladkov, Petar - Karakostas, Th. - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Vaniš, Jan - Hulicius, Eduard
    Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates.
    Journal of Crystal Growth. -, č. 396 (2014), s. 54-60. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034; GA ČR GA13-15286S
    Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
    Klíčová slova: Structuralproperties * MOVPE * PLcharacterization
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika; BM - Fyzika pevných látek a magnetismus (FZU-D)
    Impakt faktor: 1.698, rok: 2014
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0233786
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0428421.pdf91.7 MBJinávyžádat
     
     
  8. 8.
    0396713 - ÚFE 2014 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
    Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Piksová, K.
    Epitaxial growth on porous GaAs substrates.
    Comptes Rendus Chimie. Roč. 16, č. 1 (2013), s. 59-64. ISSN 1631-0748. E-ISSN 1878-1543
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253
    Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
    Klíčová slova: Electrochemical etching * Porous semiconductors * Epitaxial growth * GaAs
    Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery; JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika (FZU-D)
    Impakt faktor: 1.483, rok: 2013
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224448
     
     
  9. 9.
    0396578 - ÚFE 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Lotsari, A. - Das, A. - Kehagias, Th. - Kotsar, Y. - Monroy, E. - Karakostas, Th. - Gladkov, Petar - Komninou, Ph. - Dimitrakopulos, G.P.
    Morphology and origin of V-defects in semipolar (11-22) InGaN.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 339, č. 1 (2012), s. 1-7. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Crystal structure * Molecular beam epitaxy * Semiconducting indium compounds
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Impakt faktor: 1.552, rok: 2012
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224367
     
     
  10. 10.
    0395942 - FZÚ 2014 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Paskova, T. - Preble, E. - Evans, K.R.
    Below band-gap optical absorption and photoluminescence excitation spectroscopy at room temperature in low-defect-density bulk GaN:Fe.
    Applied Physics Letters. Roč. 100, č. 3 (2012), "031908-1"-"031908-3". ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant ostatní: US Missile Defense Agency(US) HQ 0147-09-C-0005
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: GaN * spectroscopy * optical absorption
    Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
    Impakt faktor: 3.794, rok: 2012
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0223842
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0395942.pdf8558.3 KBJinávyžádat
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.