Výsledky vyhledávání
- 1.0480688 - ÚSMH 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Kostka, Petr - Kabalci, I. - Tay, T. - Gladkov, Petar - Zavadil, Jiří
Investigation of Er doped zinc borate glasses by low-temperature photoluminescence.
Journal of Luminescence. Roč. 192, DEC 2017 (2017), s. 1104-1109. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
Institucionální podpora: RVO:67985891 ; RVO:67985882
Klíčová slova: borate glasses * rare-earth ions * stark levels * photoluminiscence
Obor OECD: Ceramics; Ceramics (URE-Y)
Impakt faktor: 2.732, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0276397 - 2.0469441 - ÚFE 2017 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Černohorský, Ondřej - Vaniš, Jan - Maixner, J. - Dickerson, J.H.
Room temperature hydrogen sensing with the graphite/ZnO nanorod junctions decorated with Pt nanoparticles.
Solid-State Electronics. Roč. 116, February (2016), s. 124-129. ISSN 0038-1101. E-ISSN 1879-2405
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LD14111; GA ČR(CZ) GA15-17044S
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Graphite based junction * Hydrogen sensor * Electrophoretic deposition
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.580, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267239Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0469441.pdf 6 1.7 MB Jiná vyžádat - 3.0460279 - ÚFE 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Baravets, Yauhen - Honzátko, Pavel - Todorov, Filip - Gladkov, Petar
Narrowband widely tunable CW mid-infrared generator based on difference frequency generation in periodically poled KTP and KTA crystals.
Optical and Quantum Electronics. Roč. 48, č. 5 (2016), May. ISSN 0306-8919. E-ISSN 1572-817X
Grant CEP: GA MŠMT LD14112
Grant ostatní: COST(XE) MP1204
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Fiber optics amplifiers * Difference-frequency generation * Mid-infrared tunable laser source
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Impakt faktor: 1.055, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0260399 - 4.0447827 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601 - 5.0436359 - ÚFE 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Brus, V.V. - Verde, Maria - Grym, Jan - Gladkov, Petar
Electrical and optical properties of graphite/ZnO nanorods heterojunctions.
Carbon. Roč. 77, October (2014), s. 1011-1019. ISSN 0008-6223. E-ISSN 1873-3891
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LD14111
Grant ostatní: COST(XE) TD1105
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Current transport mechanism * Semiconductor diodes * Nanorods
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 6.196, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0240120Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0436359.pdf 11 1.8 MB Jiná vyžádat - 6.0431319 - FZÚ 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dimitrakopulos, G.P. - Bazioti, C. - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Komninou, Ph.
Misfit dislocation reduction in InGaAs epilayers grown on porous GaAs substrates.
Applied Surface Science. Roč. 306, Jul (2014), s. 89-93. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: compound semiconductors * InGaAs * porous substrate * misfit dislocations * strain
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.711, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0235904Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0431319.pdf 7 1.5 MB Jiná vyžádat - 7.0428421 - ÚFE 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Komninou, Ph. - Gladkov, Petar - Karakostas, Th. - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Vaniš, Jan - Hulicius, Eduard
Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates.
Journal of Crystal Growth. -, č. 396 (2014), s. 54-60. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034; GA ČR GA13-15286S
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
Klíčová slova: Structuralproperties * MOVPE * PLcharacterization
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika; BM - Fyzika pevných látek a magnetismus (FZU-D)
Impakt faktor: 1.698, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0233786Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0428421.pdf 9 1.7 MB Jiná vyžádat - 8.0396713 - ÚFE 2014 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Piksová, K.
Epitaxial growth on porous GaAs substrates.
Comptes Rendus Chimie. Roč. 16, č. 1 (2013), s. 59-64. ISSN 1631-0748. E-ISSN 1878-1543
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
Klíčová slova: Electrochemical etching * Porous semiconductors * Epitaxial growth * GaAs
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery; JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika (FZU-D)
Impakt faktor: 1.483, rok: 2013
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224448 - 9.0396578 - ÚFE 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Lotsari, A. - Das, A. - Kehagias, Th. - Kotsar, Y. - Monroy, E. - Karakostas, Th. - Gladkov, Petar - Komninou, Ph. - Dimitrakopulos, G.P.
Morphology and origin of V-defects in semipolar (11-22) InGaN.
Journal of Crystal Growth. Roč. 339, č. 1 (2012), s. 1-7. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Crystal structure * Molecular beam epitaxy * Semiconducting indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.552, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224367 - 10.0395942 - FZÚ 2014 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Paskova, T. - Preble, E. - Evans, K.R.
Below band-gap optical absorption and photoluminescence excitation spectroscopy at room temperature in low-defect-density bulk GaN:Fe.
Applied Physics Letters. Roč. 100, č. 3 (2012), "031908-1"-"031908-3". ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant ostatní: US Missile Defense Agency(US) HQ 0147-09-C-0005
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: GaN * spectroscopy * optical absorption
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Impakt faktor: 3.794, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0223842Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0395942.pdf 8 558.3 KB Jiná vyžádat