Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0443751 - ÚFE 2016 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Cajzl, Jakub - Peterka, Pavel - Honzátko, Pavel - Mrázek, Jan - Podrazký, Ondřej - Todorov, Filip - Gladkov, Petar - Sahu, J.K. - Nunez-Velazquez, M. - Nekvindová, P. - Kašík, Ivan
    Characterization of fluorescence lifetime of Tm-doped fibers with increased quantum conversion efficiency.
    Photonics, Devices, and Systems VI (Proceedings of SPIE Vol. 9450). Bellingham: SPIE, 2015, s. 945017. ISBN 9781628415667. ISSN 0277-786X.
    [8th International Conference on Photonics, Devices, and System VI. Praha (CZ), 27.08.2014-29.08.2014]
    Grant CEP: GA MPO FR-TI4/734
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Lifetime * Optical fiber * Quantum conversion
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0246421
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0443751.pdf9347.5 KBJinávyžádat
     
     
  2. 2.
    0437411 - ÚFE 2015 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grym, Jan - Gladkov, Petar - Vaniš, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Dimitrakopulos, G.P. - Bazioti, C. - Komninou, Ph.
    Lattice-mismatched epitaxial growth on porous III-V substrates.
    ECS Transactions. Vol. 58. Pennington: Electrochemical Society, 2013, s. 53-60. ISSN 1938-5862.
    [224th ECS Meeting. San Francisco (US), 27.10.2013-28.10.2013]
    Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
    Klíčová slova: Epitaxial growth * Gallium alloys * Metallorganic vapor phase epitaxy
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika; BM - Fyzika pevných látek a magnetismus (FZU-D)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0241026
     
     
  3. 3.
    0396817 - ÚFE 2014 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Vaniš, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Pacherová, Oliva - Piksová, K.
    Strain accommodation within porous buffer layers in heteroepitaxial growth.
    ASDAM 2012 - Conference Proceedings: The 9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. New York: IEEE, 2012 - (Hascik, S.; Osvald, J.), s. 235-238. ISBN 978-1-4673-1197-7.
    [9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM). Smolenice Castle (SK), 11.11.2012-15.11.2012]
    Grant CEP: GA MŠMT 7AMB12GR034; GA ČR GAP108/10/0253
    Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:68378271
    Klíčová slova: Epitaxial growth * Gaas * Porous substrates
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika; JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika (FZU-D)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224518
     
     
  4. 4.
    0387722 - ÚFE 2013 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hamplová, Marie
    LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES.
    NANOCON 2012, 4th International Conference Proceedings. Ostrava: TANGER Ltd, 2012. ISBN 978-80-87294-32-1.
    [NANOCON 2012. International Conference /4./. Brno (CZ), 23.10.2012-25.10.2012]
    Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: Porous III-V semiconductors * Electrochemical etching * Pores conversion
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216684
     
     
  5. 5.
    0374726 - ÚFE 2012 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
    III-V semiconductors grown on porous substrates.
    EWMOVPE XIV-European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Wroclaw: Technická univerzita, 2011 - (Pražmowska, J.), s. 71-74. ISBN 978-83-7493-599-9.
    [European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./. Wrocław (PL), 05.06.2011-08.06.2011]
    Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: porous semiconductors * heterotransitions * electrochemical etching of metals
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006909
     
     
  6. 6.
    0374724 - ÚFE 2013 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
    Applications of porous III-V semiconductors in heteroepitaxial growth and in preparation of nanocomposite structures.
    NANOCON 2011, Conference Proceedings, 3 rd International Conference. Brno: TANGER Ltd., Ostrava, 2011, s. 150-154. ISBN 978-80-87294-27-7.
    [NANOCON 2011. International Conference /3./. Brno (CZ), 21.09.2011-23.09.2011]
    Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: porous semiconductors * heterotransitions * electrochemical etching of metals
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216241
     
     
  7. 7.
    0372415 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
    Mid-infrared light emitting diodes and high-speed photodiodes based on type II heterostructures with deep AlSb/InAsSb/AlSb quantum wells in an active region.
    Compound Semiconductor Week. 38th International Symposium on Compound Semiconductors - ISCS 2011. Berlin: N, 2011, s. 62-63. ISBN N.
    [International Symposium on Compound Semiconductors/38./ - ISCS-2011. Berlin (DE), 22.05.2011-26.05.2011]
    Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: porous structures * epitaxial growth * nanopores
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205738
     
     
  8. 8.
    0356074 - ÚFE 2012 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Grym, Jan - Jarchovský, Zdeněk
    MO CVD growth of ZnO with different growth rate.
    Conference Proceedings ASDAM 2010. Piscataway: IEEE, 2010 - (Breza, J.; Donoval, D.), s. 187-190. ISBN 978-1-4244-8574-1.
    [ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 25.10.2010-27.10.2010]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
    Klíčová slova: ZnO * MOCVD * Growth rate
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194693
     
     
  9. 9.
    0356060 - ÚFE 2012 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar … celkem 6 autorů
    ZnO NANOPARTICLES AND THEIR APPLICATIONS – NEW ACHIEVMENTS.
    CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010. Ostrava: TANGER, 2010 - (Zbořil, R.), s. 89-94. ISBN 978-80-87294-19-2.
    [NANOCON 2010. International Conference /2./. Olomouc (CZ), 12.10.2010-14.10.2010]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
    Klíčová slova: ZnO * MOCVD * Applications development ZnO
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194680
     
     
  10. 10.
    0356059 - ÚFE 2012 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk
    EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs.
    CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010. Ostrava: TANGER, 2010 - (Zbořil, R.), s. 28-33. ISBN 978-80-87294-19-2.
    [NANOCON 2010. International Conference /2./. Olomouc (CZ), 12.10.2010-14.10.2010]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: A3B5 * micropores * heteroepitaxy
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194679
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.