Výsledky vyhledávání
- 1.0383781 - FZÚ 2013 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kuldová, Karla - Molas, M. - Borysiuk, J. - Babinski, A. - Výborný, Zdeněk - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří
Quantum confinement in MOVPE-grown structures with self-assembled InAs/GaAs quantum dots.
Journal of Physics: Conference Series. Roč. 245, č. 1 (2010), s. 1-5. ISSN 1742-6588. E-ISSN 1742-6596.
[Conference on Quantum Dots 2010. Nottingham, 26.08.2010-30.08.2010]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: photoluminescence * InAs/GaAs * quantum dots
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0213619 - 2.0380732 - FZÚ 2013 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Nádvorník, L. - Orlita, Milan - Goncharuk, N.A. - Smrčka, Ludvík - Novák, Vít - Jurka, Vlastimil - Hruška, Karel - Výborný, Zdeněk - Wasilewski, Z.R. - Potemski, M. - Výborný, Karel
From laterally modulated two-dimensional electron gas towards artificial graphene.
New Journal of Physics. Roč. 14, č. 5 (2012), s. 1-16. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KJB100100802; GA AV ČR KAN400100652
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: artificial graphene * lateral superlattice * Dirac cone * lateral modulation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 4.063, rok: 2012
http://iopscience.iop.org/1367-2630/14/5/053002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0211364 - 3.0359418 - FZÚ 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Vašek, Petr - Svoboda, Pavel - Novák, Vít - Výborný, Zdeněk - Jurka, Vlastimil - Smrčka, Ludvík
Experimental determination of the Curie temperature for Ga(Mn)As.
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. Roč. 24, 1-2 (2011), s. 805-808. ISSN 1557-1939. E-ISSN 1557-1947
Grant CEP: GA MŠMT MEB020928; GA AV ČR KAN400100652
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: Ga(Mn)As * Hall effect * magnetoresistance * Curie temperature
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.650, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0197211 - 4.0354335 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Schneider, J.M. - Goncharuk, Natalya - Vašek, Petr - Svoboda, Pavel - Výborný, Zdeněk - Smrčka, Ludvík - Orlita, Milan - Potemski, M. - Maude, D. K.
Using magnetotransport to determine the spin splitting in graphite.
Physical Review. B. Roč. 81, č. 19 (2010), 195204/1-195204/6. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA MŠMT MEB020928
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: magnetotransport * graphite * spin splitting
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.772, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0193362 - 5.0341570 - FZÚ 2011 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Červenka, Jiří - Ledinský, Martin - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Výborný, Zdeněk - Holovský, Jakub - Hruška, Karel - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Ultrasharp Si nanowires produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
Physica Status Solidi. Roč. 4, 1-2 (2010), s. 37-39. ISSN 1862-6254. E-ISSN 1862-6270
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA MŠMT LC510
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanowires * silicon * scanning electron microscopy * hemical vapor deposition * Raman spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.660, rok: 2010
http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/123213957/HTMLSTART
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184509 - 6.0328675 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Výborný, Zdeněk - Leys, M.R. - Boeykens, S.
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures.
[Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC.]
Journal of Applied Physics. Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nitrides * silicon carbide * deep levels * DLTS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.072, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0174934 - 7.0134299 - FZU-D 20030195 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Toušková, J. - Kindl, Dobroslav - Blahitka, B. - Toušek, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Samokhin, Jevgen - Šimeček, Tomislav - Výborný, Zdeněk
Current-voltage characteristics of GaSb homojunctions prepared by MOVPE.
Solid-State Electronics. Roč. 47, - (2003), s. 1471-1478. ISSN 0038-1101. E-ISSN 1879-2405
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010806; GA AV ČR KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: current-voltage characteristics * MOVPE * charge transport * GaSb * Shockly-Read-Hall recombination model
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.008, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032209 - 8.0134254 - FZU-D 20030150 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Toušková, J. - Kindl, Dobroslav - Samokhin, Jevgen - Toušek, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Výborný, Zdeněk
Charge transport study and spectral response of GaSb/GaAs heterojunctions prepared by MOVPE.
Solar Energy Materials and Solar Cells. Roč. 76, - (2003), s. 135-145. ISSN 0927-0248. E-ISSN 1879-3398
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: thermophotovoltaics * GaSb/GaAs heterojunction * charge transport * band diagram
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.188, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032168 - 9.0101808 - FZU-D 20040485 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Toušek, J. - Toušková, J. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Výborný, Zdeněk - Jurka, Vlastimil
Influence of photon recycling on photovoltage spectra of GaSb diodes.
[Vliv recyklování fotonů na fotonapěťová spektra GaSb diod.]
Journal of Applied Physics. Roč. 95, č. 9 (2004), s. 5104-5110. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
Klíčová slova: photovoltage * GaSb diodes * photon recycling * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.255, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0009206 - 10.0040009 - FZÚ 2007 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Výborný, Zdeněk - Toušková, J.
Transport-controlling deep defects in MOVPE grown GaSb.
[Hluboké defekty určující transport v GaSb připraveném metodou MOVPE.]
Semiconductor Science and Technology. Roč. 21, - (2006), s. 180-183. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/03/0410; GA AV ČR(CZ) IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: deep levels * GaSb * , MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.586, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0133879