Výsledky vyhledávání
- 1.0134081 - FZU-D 20020370 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Toušková, J. - Kindl, Dobroslav - Samokhin, Jevgen - Toušek, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Výborný, Zdeněk
Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE.
Seventh European Photovoltaic Solar Energy Conference. Florence: WIPMunich and ETAFlorence, 2002 - (McNelis, B.; Palz, W.; Ossenbrink, H.; Helm, P.), s. 146-148. ISBN 88-900442-3-3.
[European Photovoltaic Solar Energy Conference /17./. Munich (DE), 22.10.2001-26.10.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: thermophotovoltaics * gallium arsenide based cells * GaSb
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032018 - 2.0104217 - FZU-D 20040559 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Jurka, Vlastimil - Výborný, Zdeněk - Toušková, J.
Growth-rate induced defects in GaSb.
[Defekty v GaSb vyvolané rychlostí růstu.]
ASDAM 2004. Piscataway, N.J.: IEEE Operation Center, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 259-262. ISBN 0-7803-8535-7.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /5./. Smolenice Castle (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA ČR GA202/03/0410; GA AV ČR IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 113200002
Klíčová slova: GaSb * metalorganic vapour phase epitaxy * deep leveltransient spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011494 - 3.0090460 - FZÚ 2008 RIV HR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kulha, P. - Husák, M. - Výborný, Zdeněk - Jurka, Vlastimil - Vaněk, František - Pospíšil, K.
Microsensors based on tensometric layers sputtered on silicon substrates.
[Mikrosenzory na bázi tenzometrických vrstev naprášených na křemíkových substrátech.]
Proceedings of the International Convention MIPRO 2006 /29./. Rijeka: MIPRO, 2006 - (Biljanovič, P.; Skala, K.), s. 57-62. ISBN 953-233-018-6.
[International Convention /29./:Microelectronics, Electronics and Electronic Technologies/MEET. Opatija (HR), 22.05.2006-26.05.2006]
Grant CEP: GA ČR GA102/03/0619
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20760514
Klíčová slova: microsensors * tensometric layers * silicon substrates
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0151344 - 4.0043491 - FZÚ 2007 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Výborný, Zdeněk - Leys, M.R. - Boeykens, S.
Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures.
[Hluboké defekty v heterostrukturách SiC/AlGaN/GaN připravených metodou MOVPE.]
ASDAM´06. Danvers, MA: IEEE, 2006 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinský, E.), s. 51-54. ISBN 1-4244-0396-0.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice Castle (SK), 16.10.2006-18.10.2006]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: deep levels * nitride layers * 4H-SiC
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136468 - 5.0023779 - FZÚ 2006 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Jackiv, R. - Třebický, T. - Voves, J. - Výborný, Zdeněk - Cukr, Miroslav - Jurka, Vlastimil
Experimental and theoretical study of the I-V bistabilities of resonant tunneling diodes.
[Experimentální a teoretická studie I-V bistabilit u rezonančních tunelovacích.]
Proceedings of the International Conference of Microelectronics /24./. Piscataway: IEEE, 2004 - (Stojanovič, N.), s. 359-362. 1. ISBN 0-7803-8166-1.
[International Conference om Microelectronics /24./. Niš (YU), 16.05.2004-19.05.2004]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS1010004
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: resonant tunneling diode * MBE * I-V characteristics * Wingreen simulator * transfer-matrix method.
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114431