Výsledky vyhledávání
- 1.0133683 - FZU-D 20010483 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kotrla, Miroslav - Krug, J. - Šmilauer, Pavel
Effects of adsorbates on submonolayer growth.
0-7923-7115-1. In: Collective Diffusion on Surfaces: Correlation Effects and Adatom Interactions. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 2001 - (Tringides, M.; Chvoj, Z.), s. 247-257. NATO Science Series. II. Mathematics, Physics and Chemistry. 29.
[NATO Advanced Research Workshop on Collective Diffusion on Surfaces: Correlation Effects and Adatom Interactions. Praha (CZ), 02.10.2000-06.10.2000]
Grant CEP: GA MŠMT OC P3.130
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: two-dimensional islands * effect of absorbates * KMC
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031646 - 2.0132594 - FZU-D 990061 RIV BG eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vvedensky, D. D. - Šmilauer, Pavel - Ratsch, C. - Zangwill, A.
From submonolayer scaling to multilayer instabilities during epitaxial growth.
Thin Films and Phase Transitions on Surface. Sofia, 1994 - (Michailov, M.; Gutzow, I.), s. 103-119
[Thin Films and Transition of Surfaces. Pamporovo (BG), 21.02.1994-24.02.1994]
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030608 - 3.0131855 - FZU-D 980406 RIV DB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šmilauer, Pavel - Vvedensky, D. D.
Growth and etching of GaAs(001).
Computer Simulation Studies in Condesed-Matter Physics. Berlin: SpringerVerlag, 1995 - (Landau, D.; Mon, K.; Schutter, H.), s. 205-223. Springer Proceedings in Physics., 80. ISBN 3-540-60346-8.
[Workshop of Computer Simulation Studies in Condesed-Matter Physics /8./. Athens (GR), 20.02.1995-24.02.1995]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029899 - 4.0131821 - FZU-D 980416 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šmilauer, Pavel
Kinetic Monte Carlo modeling of thin film growth.
Paper Presented at the International Summer School on Growth and Applications of Thin Films. Praha, 1994 - (Eckertová, L.; Růžička, T.), s. 15-24. 80-85849-59-3.
[International Summer School on Growth and Applications of Thin Films. Třeboň (CZ), 20.06.1994-25.06.1994]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029865 - 5.0131820 - FZU-D 980405 RIV DB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vvedensky, D. D. - Šmilauer, Pavel - Shitara, T.
Morphological evaluation during epitaxial growth.
Nanostructures and Quantum Effects. Berlin: SpringerVerlag, 1994 - (Sakaki, H.; Noge, H.), s. 285-293. 3-540-58383-1.
[JRDC International Symposium. Tsukuba (JP), 17.11.1993-18.11.1993]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010531
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029864 - 6.0130126 - FZU-D 940455 RIV SG eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kotrla, Miroslav - Levi, A.C. - Šmilauer, Pavel
Scaling in growth models with diffusion: A Monte Carlo study.
Physics Computing'92. Singapore: World Sci. Publ. Co.Pts.Ltd., 1993 - (De Groot, R.; Nadrchal, J.), s. 378-379. ISBN 981-02-1245-3.
[Physics Computing'92. Prague (CZ), 24.08.1992-28.08.1992]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028275 - 7.0130020 - FZU-D 940031 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šmilauer, Pavel - Wilby, R.M. - Vvedensky, D.D.
Hopping barriers at step edges.
Common Themes and Mechanism of Epitaxial Growth. Pittsburgh: Materials Research Society, 1993 - (Fuoss, P.; Tsao, J.; Kisker, D.; Zangwill, A.; Kuech, T.), s. 261-267. Materials Research Society Symposium Proceedings., 312. ISSN 0272-9172.
[Common Themes and Mechanism of Epitaxial Growth. San Francisco, California (US), 13.04.1993-15.04.1993]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028179 - 8.0130013 - FZU-D 940022 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vvedensky, D.D. - Shitara, T. - Šmilauer, Pavel - Kaneko, T. - Zangwill, A.
From adatom migration to chemical kinetics: Models for MBE, MOMBE and MOCVD.
Common Thems and Mechanisma of Epitaxial Growth. Pittsburgh: Material Research Society, 1993 - (Fuoss, P.), s. 3-13. Materials Research Society Symposium Proceedings., 312. ISSN 0272-9172.
[Common Thems and Mechanism of Epitaxial Growth. San Francisco, California (US), 13.04.1993-15.04.1993]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028175