Výsledky vyhledávání
- 1.0371383 - FZÚ 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, A. V. - Ivanov, E. - Romanov, V. - Mikhailova, M. - Yakovlev, Yu. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Intense interface luminescence in type II narrow-gap InAs-based heterostructures at room temperature.
Physics Procedia. Roč. 3, č. 2 (2010), s. 1189-1193. ISSN 1875-3892.
[International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems /14./ (NGS2). Sendai, 13.07.2009-17.07.2009]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOVPE * GaSb * InAs * surface states * negative luminescence * interface electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204915 - 2.0350300 - ÚFE 2011 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Gladkov, Petar - Humlíček, J. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Paskova, T. - Evans, K.
Effect of Fe doping on optical properties of freestanding semi-insulating HVPE GaN:Fe.
Journal of Crystal Growth. Roč. 312, č. 8 (2010), s. 1205-1209. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: Fe-doping * Optical characterization * Hybride vapor phase epitaxy * Nitrides
Kód oboru RIV: JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Impakt faktor: 1.737, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0190335Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0350300.pdf 9 377.5 KB Jiná vyžádat - 3.0350264 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Morávek, Pavel - Fulem, M. - Růžička, K. - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Růžička, V. - Rushworth, S. A.
Vapor pressure of tetrakis(dimethylamino)germanium.
Journal of Chemical and Engineering Data. Roč. 55, č. 9 (2010), 4095-4097. ISSN 0021-9568. E-ISSN 1520-5134
Grant CEP: GA ČR GA203/08/0217
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: metal-organic precursors * organogermanium compounds * thermodynamic analysis * movpe * basicity
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.089, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0190307 - 4.0342530 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Fulem, M. - Morávek, P. - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Růžička, K. - Růžička, V. - Kozyrkin, B. - Shatunov, V.
Vapor pressure of trimethylantimony and tert-butyldimethylantimony.
Journal of Chemical and Engineering Data. Roč. 55, č. 1 (2010), 362-365. ISSN 0021-9568. E-ISSN 1520-5134
Grant CEP: GA ČR GA203/08/0217
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOVPE * vapour pressure * Sb precursor
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.089, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0185244 - 5.0342440 - FZÚ 2011 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla - Šimeček, Tomislav - Hazdra, P. - Caha, O.
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
Journal of Crystal Growth. Roč. 312, č. 8 (2010), 1383-1387. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676; GA MŠMT LC510
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III/V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.737, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0185175 - 6.0342123 - FZÚ 2011 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Ivanov, E.V. - Moiseev, K. D. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface.
Semiconductors. Roč. 44, č. 1 (2010), 66-71. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electroluninescence * MOVPE * GaSb * InAs * quantum well
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.603, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184942 - 7.0342077 - ÚFCH JH 2011 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Matulková, Irena - Cihelka, Jaroslav - Vyskočil, Jan - Zelinger, Zdeněk - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Civiš, Svatopluk
Diagnostic and characterization of the VCSEL diodes based on GaSb.
Applied Physics B-Lasers and Optics. Roč. 99, 1-2 (2010), s. 333-338. ISSN 0946-2171. E-ISSN 1432-0649
Grant CEP: GA AV ČR IAA400400705
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: VCSEL diodes * FTIR * GaSb
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Impakt faktor: 2.239, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184905 - 8.0318588 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots.
[Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: atomic force microscopy * nanostructures * low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.757, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0167961 - 9.0318587 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Pangrác, Jiří - Fulem, Michal - Hulicius, Eduard - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Růžička, K. - Morávek, Pavel - Růžička, V. - Rushworth, S. A.
Vapor pressure of germanium precursors.
[Tenze par germaniových prekurzorů.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, č. 23 (2008), s. 4720-4723. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GA203/08/0217
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: characterization * phase equilibria * metalorganic vapor phase epitaxy * germanium compounds
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.757, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0167960 - 10.0308047 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures.
[Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, 7-9 (2008), s. 2229-2233. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * metalorganic vapor-phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.757, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160642