Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0373170 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
    Morávek, P. - Fulem, M. - Pangrác, Jiří - Růžička, K. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Růžička, V. - Kozyrkin, B.
    Vapor pressure of erbium, neodymium and magnesium based organometallic precursors.
    IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 5.
    [International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dot * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206320
     
     
  2. 2.
    0373106 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav
    Influence of strain reducing layer type on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures.
    IC-MOVPE XV. Warrendale: TMS, 2010. s. 44.
    [International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /15./. 23.05.2010-28.05.2010, Hyatt Regency Lake Tahoe]
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206262
     
     
  3. 3.
    0373034 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
    Fulem, M. - Růžička, K. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Morávek, Pavel - Růžička, V.
    Vapour pressure of metal organic precursors used for MOVPE.
    The 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. 2009 Abstract Book. Warren: American Association for Crystal Growth, 2009. s. 82. ISBN N.
    [US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy /14./. 09.08.2009-14.08.2009, Lake Geneva, Wisconsin]
    Grant CEP: GA ČR GA203/08/0217
    Klíčová slova: organometallic precursors * vapor pressure
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006872
     
     
  4. 4.
    0373032 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
    Gladkov, Petar - Humlíček, J. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Paskova, T. - Evans, K.
    Effect of Fe doping on transmission and photoluminescence properties of semiinsulating HVPE GaN:Fe bulk like material.
    The 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. 2009 Abstract Book. Warren: American Association for Crystal Growth, 2009. s. 151. ISBN N.
    [US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy /14./. 09.08.2009-14.08.2009, Lake Geneva, Wisconsin]
    Grant ostatní: MDA(US) HQ0147-09-C-0005
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: GaN templates * HVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006871
     
     
  5. 5.
    0373012 - FZÚ 2012 LU eng A - Abstrakt
    Mikhailova, M. - Moiseev, K. - Ivanov, E. - Yakovlev, Y. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Melichar, Karel
    Mid-infrared light-emitting diodes based on heterostructure with deep AlSb/InAsSb/AlSb quantum well using a switching positive to negative luminescence.
    EuroNanoForum 2009 - Nanotechnology for Sustainable Economy. Luxembourg: Office for Official Publications of the European Communities, 2009 - (Fantechi, S.; Havlíčková, L.; Svobodová, E.; Fryček, R.; Albrecht, V.). ISBN 978-92-79-11109-9.
    [European and International Forum on Nanotechnology: EuroNanoForum 2009 - Nanotechnology for Sustainable Economy. 02.06.2009-05.06.2009, Praha]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: negative electroluminescence * InAs * AlSb * InAsSb * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    http://cordis.europa.eu/documents/documentlibrary/107087851EN6.pdf
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206187
     
     
  6. 6.
    0095242 - ÚFE 2008 US eng A - Abstrakt
    Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vaniš, Jan - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, J. - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
    Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures.
    [Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami.]
    2007 Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth held in conjuction with the 13th International Conference on Vapour Growth and Epitaxy and the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy and 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. [Salt Lake City]: OMNI Press, 2007. s. 636--.
    [ICCG /15./ with the ICVGE /13./ and OMVPE /13./. 12.08.2007-17.08.2007, Salt Lake City]
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
    Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
    Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0154878
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.