Výsledky vyhledávání
- 1.0484348 - FZÚ 2018 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Petříček, Otto
GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD.
Materials Research Express. Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8, č. článku 025502. E-ISSN 2053-1591
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaAsSb * InAs * InGaAs * quantum dot * solar cells * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.151, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0279501 - 2.0474050 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Petříček, Otto - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi
GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications.
Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 64-68. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * solar cells
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.742, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271148 - 3.0133827 - FZU-D 20020006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Kuldová, Karla - Hazdra, P. - Voves, J.
Lasers with ë In As layers in GaAs.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 88, - (2002), s. 312-316. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: semiconductor lasers * isovalent ë layers * InAs * GaAs * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031782 - 4.0133088 - FZU-D 20000451 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Vančura, Milan - Hradil, J.
InAs/GaAs lasers with very thin active layer.
Thin Solid Films. Roč. 380, - (2000), s. 233-236. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807; GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.160, rok: 2000
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031076 - 5.0132206 - FZU-D 990097 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Pastrňák, Josef - Karel, František - Petříček, Otto - Salokatve, A.
Study of single and double .delta.-doped GaAs layers by spectral photoconductivity measurements.
Thin Solid Films. Roč. 342, - (1999), s. 262-265. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GA202/95/0194; GA ČR GA202/98/0074
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.101, rok: 1999
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030240 - 6.0131935 - FZU-D 980030 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Pastrňák, Josef - Petříček, Otto - Karel, František - Cukr, Miroslav
Luminescence of n-type GaAs breakdown regime.
Acta Technica CSAV. Roč. 42, - (1997), s. 693-698. ISSN 0001-7043
Grant CEP: GA ČR GA202/95/0194
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029977 - 7.0129903 - FZU-D 930281 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Oswald, Jiří - Karel, František - Petříček, Otto - Schmid, N.
Impurity avalanche breakdown in n-type InP layers.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 8, - (1993), s. 112-115. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Impakt faktor: 1.525, rok: 1993
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028075 - 8.0021950 - ÚFCH JH 2006 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Civiš, Svatopluk - Horká-Zelenková, Veronika - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Petříček, Otto - Rouillard, C. - Alibert, C. - Werner, R.
GaSb based lasers operating near 2.3 .mu.m for high resolution absorption spectroscopy.
[GaSb lasery pracující v oblasti 2.3 .mu.m ve vysoce rozlišené absorpční spektroskopii.]
Spectrochimica Acta Part A-Molecular and Biomolecular Spectroscopy. Roč. 61, - (2005), s. 3066-3069. ISSN 1386-1425. E-ISSN 1873-3557
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA AV ČR IAA4040104; GA MŠMT OC 715.50
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: laser diode * absorption spectroscopy * gas detection * methane
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Impakt faktor: 1.290, rok: 2005
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0110786