Výsledky vyhledávání
- 1.0455033 - FZÚ 2016 RIV SE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Petříček, Otto - Pangrác, Jiří
Intermediate band solar cell structures grown by MOVPE.
EWMOVPE XVI - 16th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Lund: Nanometer Structure Consortium, 2015 - (Ghalamestani, S.; Lundfald, L.), s. 191-194
[EWMOVPE XVI - 16th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Lund (SE), 07.06.2015-10.06.2015]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaAsSb * quantum dot * intermediate band solar cells
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0255685 - 2.0133871 - FZU-D 20020050 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Kuldová, Karla
Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs.
80-01-02511-X. In: Proceedings of Tenth Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002. Praha: CTU Publishing House, 2002, s. 424-425. CTU Reports.
[Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002 /10./. Praha (CZ), 11.02.2002-13.02.2002]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: semiconductor lasers * isovalent ë layers * InAs * GaAs * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031822 - 3.0133090 - FZU-D 20000453 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Vančura, Milan - Petříček, Otto - Šimeček, Tomislav
Quantum size InAs/GaAs lasers - preparation and properties.
ASDAM 2000. Conference proceedings. Danvers: IEEE, 2000 - (Osvald, J.; Haščík, Š.; Kuzmík, J.; Breza, J.), s. 375-378. ISBN 0-7803-5939-9.
[International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /3./ ASDAM 2000. Smolenice Castle (SK), 16.10.2000-18.10.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031078 - 4.0132279 - FZU-D 990208 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Karel, František
Preparation and properties of InAs/GaAs lasers.
8th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related growth Techniques. Praha: Instite of Physics ASCR, 1999 - (Mircea, a.), s. 277-280. ISBN 80-238-3551-3.
[European Workshop on Metal-Organic VApor Phase Epitaxy and Related growth Techniques /8./ - EW MOVPE. Praha (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0074; GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030312 - 5.0026669 - FZÚ 2006 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Melichar, Karel - Petříček, Otto - Chráska, T. - Holý, V. - Vávra, I. - Ouattara, L.
Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE.
[Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE.]
NANO ´04. Brno: Brno University of Technology, 2004 - (Šandera, P.), s. 278-281. ISBN 80-214-2793-0.
[NANO ´04 International Conference. Brno (CZ), 13.10.2004-15.10.2004]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP202/02/D069; GA ČR(CZ) GA202/03/0413; GA AV ČR(CZ) IAA1010318; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: semiconductor laser * quantum well * GaAs * InAs * XSTM * TEM * X-ray diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0116879