Výsledky vyhledávání
- 1.0367084 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Fulem, Michal - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Organometallic Ge precursors, their stability and vapour pressure measurement.
IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 421-422.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: germanium precursors * vapour pressure * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201866 - 2.0367077 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer growth parameters on the properties of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots.
IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 101-102.
[International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201862 - 3.0134479 - FZU-D 20030379 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electron-optical characterisation and operation at elevated temperatures.
European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /10./. Lecce: Ecotekne Congress Centre, 2003, s. 12-18. ISBN 88-8305-007-X.
[European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (10./. Lecce (IT), 08.06.2003-11.06.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318; GA AV ČR KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: strained quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * polarization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032380 - 4.0133871 - FZU-D 20020050 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Kuldová, Karla
Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs.
80-01-02511-X. In: Proceedings of Tenth Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002. Praha: CTU Publishing House, 2002, s. 424-425. CTU Reports.
[Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002 /10./. Praha (CZ), 11.02.2002-13.02.2002]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: semiconductor lasers * isovalent ë layers * InAs * GaAs * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031822 - 5.0133090 - FZU-D 20000453 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Vančura, Milan - Petříček, Otto - Šimeček, Tomislav
Quantum size InAs/GaAs lasers - preparation and properties.
ASDAM 2000. Conference proceedings. Danvers: IEEE, 2000 - (Osvald, J.; Haščík, Š.; Kuzmík, J.; Breza, J.), s. 375-378. ISBN 0-7803-5939-9.
[International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /3./ ASDAM 2000. Smolenice Castle (SK), 16.10.2000-18.10.2000]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031078 - 6.0132519 - FZU-D 990469 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vorlíček, Vladimír - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
InAs/GaSb structures on GaSb: A raman scattering study.
Workshop Proceedings - EW MOVPE 7. Praha: FZÚ AV ČR, 1999 - (Mircea, A.; Gregor, V.; Závěta, K.), s. 381-384. ISBN 80-238-3551-3.
[European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques /8./. Praha (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010807; GA ČR GA102/99/0414
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030539 - 7.0132425 - FZU-D 990375 RIV CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Preparation and characterisation of A III B V semiconductor quantum-size structures by MOCVD technology.
The Second China-Czech Symposium on Advanced Material and Devices for Optoelectronics. National Natural Sciences Foundation of China, 1999 - (Yu, J.), s. 16-23
[China-Czech Symposium on Advanced Material and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing (CN), 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA202/99/1613; GA ČR GA102/99/0414; GA ČR GA202/98/0074; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030451 - 8.0132280 - FZU-D 990209 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Strained InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells grown by MOVPE.
8th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related growth Techniques. Praha: Instite of Physics ASCR, 1999 - (Mircea, a.), s. 425-428. ISBN 80-238-3551-3.
[European Workshop on Metal-Organic VApor Phase Epitaxy and Related growth Techniques /8./ - EW MOVPE. Praha (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0074; GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030313 - 9.0132279 - FZU-D 990208 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Karel, František
Preparation and properties of InAs/GaAs lasers.
8th European Workshop on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy and Related growth Techniques. Praha: Instite of Physics ASCR, 1999 - (Mircea, a.), s. 277-280. ISBN 80-238-3551-3.
[European Workshop on Metal-Organic VApor Phase Epitaxy and Related growth Techniques /8./ - EW MOVPE. Praha (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA ČR GA202/98/0074; GA ČR GA102/99/0414; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030312 - 10.0131651 - FZU-D 980141 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Janda, Pavel
InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties.
0-7923-5013-8. In: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices. Dodrecht: Kluwer Academic Publishers, 1998 - (Novák, J.), s. 207-210. NATO Sciences Series.
[International Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices (SK), 12.10.1997-16.10.1997]
Grant CEP: GA ČR GA102/96/1703; GA ČR GA202/95/0194; GA ČR GA203/96/1090
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0029707