Výsledky vyhledávání
- 1.0560114 - FZÚ 2023 DE eng A - Abstrakt
Klos, K. - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice
MOCVD growth of antimonide compound semiconductors.
Book of Abstracts of the 20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - ICMOVPE XX. Stuttgart: University of Stuttgart, 2022 - (Jetter, M.; Scholz, F.). s. 179-179
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - ICMOVPE XX /20./. 10.07.2022-14.07.2022, Stuttgart]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaSb * InGaAsSb * AlGaAsSb
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333146 - 2.0463746 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Hubáček, Tomáš - Walachová, J. - Vaniš, J. - Křápek, V. - Humlíček, J. - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Brůža, P. - Pánek, D. - Foltynski, B. - Oeztuerk, M. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures.
GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 38.
[German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InAs quantum dot * GaAsSb SRL * GaInN quantum well * GaN * GaAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262837 - 3.0373012 - FZÚ 2012 LU eng A - Abstrakt
Mikhailova, M. - Moiseev, K. - Ivanov, E. - Yakovlev, Y. - Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Melichar, Karel
Mid-infrared light-emitting diodes based on heterostructure with deep AlSb/InAsSb/AlSb quantum well using a switching positive to negative luminescence.
EuroNanoForum 2009 - Nanotechnology for Sustainable Economy. Luxembourg: Office for Official Publications of the European Communities, 2009 - (Fantechi, S.; Havlíčková, L.; Svobodová, E.; Fryček, R.; Albrecht, V.). ISBN 978-92-79-11109-9.
[European and International Forum on Nanotechnology: EuroNanoForum 2009 - Nanotechnology for Sustainable Economy. 02.06.2009-05.06.2009, Praha]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: negative electroluminescence * InAs * AlSb * InAsSb * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://cordis.europa.eu/documents/documentlibrary/107087851EN6.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206187 - 4.0095242 - ÚFE 2008 US eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vaniš, Jan - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, J. - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures.
[Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami.]
2007 Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth held in conjuction with the 13th International Conference on Vapour Growth and Epitaxy and the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy and 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. [Salt Lake City]: OMNI Press, 2007. s. 636--.
[ICCG /15./ with the ICVGE /13./ and OMVPE /13./. 12.08.2007-17.08.2007, Salt Lake City]
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0154878