Výsledky vyhledávání
- 1.0567278 - FZÚ 2023 RIV GB eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Buryi, Maksym - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Jarý, Vítězslav - Babin, Vladimir - Kuldová, Karla - Vaněk, Tomáš
Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells.
Journal of Physics: Conference Series. Vol. 2413. Bristol: IOP Publishing, 2022, č. článku 012001. ISSN 1742-6588.
[DMSRE seminar: Development of Materials Science in Research and Education (DMSRE) /31./. Nová Lesná (SK), 05.09.2022-09.09.2022]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN multiple quantum wells * Si doping * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2413/1/012001
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0338546 - 2.0561007 - FZÚ 2023 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla
General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design.
NANOCON 2021 - Conference proceedings. Ostrava: Tanger Ltd., 2021, s. 17-22. ISBN 978-80-88365-00-6. ISSN 2694-930X.
[International Conference on Nanomaterials - Research & Application /13./ NANOCON. Brno (CZ), 20.10.2021-22.10.2021]
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN devices * HEMT * MOVPE epitaxy * dislocation
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://www.confer.cz/nanocon/2021/4309-general-over-view-of-gan-devices-and-transport-properties-of-algan-gan-hemt-structures-impact-of-dislocation-density-and-improved-design
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333759 - 3.0541758 - FZÚ 2022 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vaněk, Tomáš - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Dominec, Filip - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Nanostructured layer enhancing light extraction from GaN-based scintillator using MOVPE.
Proceedings of the 12th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Ostrava: Tanger Ltd., 2021, s. 12-17. ISBN 978-80-87294-98-7. ISSN 2694-930X.
[International Conference NANOCON 2020 /12./. Brno (CZ), 21.10.2020-23.10.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaN * light extraction * SiNx * scintillator
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0319288 - 4.0540792 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Hájek, František
Nitride multiple quantum well challenge.
20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 69-70. ISBN 978-80-89855-13-1.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitride semiconductors * GaN * InGaN * quantum wells * luminescence
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318391 - 5.0537999 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
Properties of yellow band in GaN layers.
20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 149-150. ISBN 978-80-89855-13-1.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitride semiconductors * GaN * luminescence * defects
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315830 - 6.0537995 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Oswald, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla
Nitride semiconductors - properties and applications.
20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 32-36. ISBN 978-80-89855-13-1.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitride semiconductors * applications * LED * HEMT
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315824 - 7.0537993 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kuldová, Karla - Dominec, Filip - Novotný, Radek - Hájek, František - Košutová, T. - Hospodková, Alice
Impact of macroscopic particle composition on GaN epitaxial growth morphology and luminescence.
20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 89-90. ISBN 978-80-89855-13-1.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: photoluminescence * nitride semiconductors * GaN * defects
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315819 - 8.0522076 - FZÚ 2020 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Humlíček, J. - Pelant, Ivan - Cibulka, Ondřej - Herynková, Kateřina
MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures.
NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./. Ostrava: Tanger Ltd., 2019 - (Shrbená, J.), s. 30-35. ISBN 978-80-87294-89-5.
[NANOCON 2018 -International Conference on Nanomaterials - Research and Application /10./. Brno (CZ), 17.10.2018-19.10.2018]
Grant CEP: GA TA ČR TH02010014; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * MOVPE * HEMT
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306581 - 9.0479300 - FZÚ 2018 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kuldová, Karla - Kretková, Tereza - Novotný, Radek - Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří
Long range influence of macroscopic defects on photoluminescence of GaN/InGaN multiple quantum well structures.
EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble, 2017 - (Eymery, J.), s. 40-40
[EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble (FR), 18.06.2017-21.06.2017]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaN * photoluminescece * Raman spectroscopy * macroscopic defects
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275561 - 10.0477154 - FZÚ 2018 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Brůža, P. - Pánek, D. - Blažek, K. - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications.
Fourth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems. Bellingham: SPIE, 2017 - (du Plessis, M.), s. 1-15, č. článku 1003617. Proceedings of SPIE, 10036. ISBN 978-151060513-8. ISSN 0277-786X.
[South African Conference on Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems (SMEOS) /4./. Skukuza (ZA), 18.09.2016-20.09.2016]
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603; GA ČR GA16-15569S
GRANT EU: European Commission(XE) CZ.2.16/3.1.00/24510; European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: gallium nitride * indium gallium nitride * quantum wells * scintillators * sensors * luminescence * excitons * scintillation * radiation * resistance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0273529Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0477154.pdf 6 459.7 KB Jiná povolen