Výsledky vyhledávání
- 1.0585344 - FZÚ 2025 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard
Hybridní scintilační detektor, založený na vícenásobných kvantových jámách InGaN/GaN, připravených metodou MOVPE s vrstvami scintilátoru BGO.
[A hybrid detector based on MOVPE-grown InGaN/GaN multiple quantum wells with BGO scintillator layers.]
Československý časopis pro fyziku. Roč. 74, č. 1 (2024), s. 13-17. ISSN 0009-0700
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: scintilátory * BGO * GaN * MOVPE * InGaN/GaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Způsob publikování: Omezený přístup
https://ccf.fzu.cz/
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353063 - 2.0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342034 - 3.0533199 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Slavická Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Čížek, J. - Liedke, M.O. - Butterilng, M. - Wagner, A. - Hubík, Pavel - Hulicius, Eduard
Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor.
Journal of Crystal Growth. Roč. 531, Feb (2020), s. 1-7, č. článku 125383. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA TA ČR TH02010014; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * TEGa precursor * n-GaN * yellow band * V.sub.Ga.-sub. defect
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.797, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125383
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311664 - 4.0505794 - FZÚ 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Vetushka, Aliaksi - Hulicius, Eduard
Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties.
Journal of Crystal Growth. Roč. 507, Feb (2019), s. 246-250. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-15569S
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: low dimensional structures * V-pits * metalorganic vapor phase epitaxy * InGaN/GaN quantum wells * GaN buffer layer * scintillators
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.632, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.025
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0297183Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0505794.pdf 5 1.1 MB Autorský postprint povolen - 5.0502820 - FZÚ 2019 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Jarý, Vítězslav - Dominec, Filip - Slavická Zíková, Markéta - Hájek, František - Hulicius, Eduard - Vetushka, Aliaksi - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Nikl, Martin
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs.
CrystEngComm. Roč. 21, č. 2 (2019), s. 356-362. ISSN 1466-8033
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA16-11769S; GA MŠMT(CZ) LO1603
GRANT EU: European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN * MOVPE * QW number
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.117, rok: 2019
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0294704Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0502820.pdf 4 1.7 MB Autorský postprint povolen - 6.0479789 - FZÚ 2018 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Berezovets, V.A. - Parfeniev, R.V. - Danilov, L.V. - Safonchik, M.O. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
Vertical transport in type-II Heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells in a high magnetic field.
Semiconductors. Roč. 51, č. 10 (2017), s. 1343-1349. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InAs * GaSb * composite QW * magnetic properties
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 0.672, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275726 - 7.0474047 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications.
Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 59-63. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * quantum dot * strain reducing layer * InAs * GaAsSb * InGaAs
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.742, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271146 - 8.0474046 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V.
InAs/GaSb/AlSb composite quantum well structure preparation with help of reflectance anisotropy spectroscopy.
Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 206-210. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: low dimensional structures * MOVPE * InAs/GaSb composite quantum wells * AlSb
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.742, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271145 - 9.0469042 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V. - Semenikhin, P.V. - Kalinina, K.V. - Parfeniev, R.V. - Berezovets, V.A. - Safonchik, M.O. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells.
Journal of Nanophotonics. Roč. 10, č. 4 (2016), 1-8, č. článku 046013. ISSN 1934-2608
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Shubnikov-de Haas oscillations * microwave absorption * electron-paramagnetic resonance * composite quantum wells * InAs/GaSb/AlSb * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.325, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0266941 - 10.0458379 - FZÚ 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Zíková, Markéta - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures.
Physica B-Condensed Matter. Roč. 480, Jan (2016), 14-22. ISSN 0921-4526. E-ISSN 1873-2135
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dot * band alignment * InAs/GaAs * GaAsSb * MOVPE * luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.405, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0258645