Výsledky vyhledávání
- 1.0583049 - FZÚ 2024 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard
Hybrid detector based on MOVPE grown InGaN/GaN MQW + BGO.
21. konference českých a slovenských fyziků - Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2023 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 49-52. ISBN 978-80-89855-21-6.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /21./. Bratislava (SK), 04.09.2023-07.09.2023]
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE InGaN/GaN * scintillator * detector
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://kis.cvt.stuba.sk/arl-stu/sk/detail-stu_us_cat-0106937-21st-Conference-of-Czech-and-Slovak-Physicists/?disprec=1&iset=2
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0351047 - 2.0561007 - FZÚ 2023 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubík, Pavel - Gedeonová, Zuzana - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla
General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design.
NANOCON 2021 - Conference proceedings. Ostrava: Tanger Ltd., 2021, s. 17-22. ISBN 978-80-88365-00-6. ISSN 2694-930X.
[International Conference on Nanomaterials - Research & Application /13./ NANOCON. Brno (CZ), 20.10.2021-22.10.2021]
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN devices * HEMT * MOVPE epitaxy * dislocation
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://www.confer.cz/nanocon/2021/4309-general-over-view-of-gan-devices-and-transport-properties-of-algan-gan-hemt-structures-impact-of-dislocation-density-and-improved-design
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333759 - 3.0537999 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hubáček, Tomáš - Jarý, Vítězslav - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
Properties of yellow band in GaN layers.
20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 149-150. ISBN 978-80-89855-13-1.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitride semiconductors * GaN * luminescence * defects
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315830 - 4.0537997 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Slavická Zíková, Markéta
Quantum dots grown by metal-organic vapot phase epitax.
20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 73-74. ISBN 978-80-89855-13-1.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * MOVPE * InGaAs * GaAs
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315829 - 5.0522076 - FZÚ 2020 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Humlíček, J. - Pelant, Ivan - Cibulka, Ondřej - Herynková, Kateřina
MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures.
NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./. Ostrava: Tanger Ltd., 2019 - (Shrbená, J.), s. 30-35. ISBN 978-80-87294-89-5.
[NANOCON 2018 -International Conference on Nanomaterials - Research and Application /10./. Brno (CZ), 17.10.2018-19.10.2018]
Grant CEP: GA TA ČR TH02010014; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * MOVPE * HEMT
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306581 - 6.0486908 - FZÚ 2018 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Mikhailova, M. P. - Veinger, A.I. - Kochman, I.V. - Danilov, L.V.
InAs/GaSb/AlSb quantum well structure preparation and electron spin resonance measurements.
19th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2017, s. 31-32. ISBN 978-80-89855-04-9.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /19./. Prešov (SK), 04.09.2017-07.09.2017]
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaSb InAs CQW * AlSb * MOVPE * electron spin resonance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0281619 - 7.0485338 - FZÚ 2018 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Gregušová, D. - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Stoklas, R. - Pohorelec, O. - Novák, J. - Heuken, M.
Preparation and measurement of GaN based HEMT structures.
Extended Abstract Book of international conference Progress in Applied Surface - SURFINT-SREN V. Bratislava: Comenius University, 2017 - (Pinčík, E.), s. 56-57. ISBN 978-80-2234411-1.
[Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2017. Florence (IT), 20.11.2017-23.11.2017]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603; GA ČR GA16-11769S
Grant ostatní: AV ČR(CZ) SAV-16-21
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * AlGaN * heterostructure * HEMT * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0280404 - 8.0479290 - FZÚ 2018 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hývl, Matěj - Zíková, Markéta - Hulicius, Eduard
MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure.
EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble, 2017 - (Eymery, J.), s. 114-117
[EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. Grenoble (FR), 18.06.2017-21.06.2017]
Grant CEP: GA ČR GA16-11769S; GA MŠMT LO1603
GRANT EU: European Commission(XE) CZ.2.16/3.1.00/24510
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * nitrides * scintillator * quantum well
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
http://inac.cea.fr/en/Phocea/Page/index.php?id=215&ref=193
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275558 - 9.0477154 - FZÚ 2018 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Nikl, Martin - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Hubáček, Tomáš - Zíková, Markéta - Brůža, P. - Pánek, D. - Blažek, K. - Ledoux, G. - Dujardin, C. - Heuken, M. - Hulicius, Eduard
Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications.
Fourth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems. Bellingham: SPIE, 2017 - (du Plessis, M.), s. 1-15, č. článku 1003617. Proceedings of SPIE, 10036. ISBN 978-151060513-8. ISSN 0277-786X.
[South African Conference on Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems (SMEOS) /4./. Skukuza (ZA), 18.09.2016-20.09.2016]
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA MŠMT LO1603; GA ČR GA16-15569S
GRANT EU: European Commission(XE) CZ.2.16/3.1.00/24510; European Commission(XE) 690599 - ASCIMAT
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: gallium nitride * indium gallium nitride * quantum wells * scintillators * sensors * luminescence * excitons * scintillation * radiation * resistance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0273529Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0477154.pdf 6 459.7 KB Jiná povolen - 10.0469570 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Zíková, Markéta
Technology of AlSb/GaSb based LED nanostructures for high temperature superlinear luminescence.
ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 93-96. ISBN 978-150903083-5.
[International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
Grant CEP: GA MŠMT LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * LED * AlSb * GaSb * superlinear luminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267405