Výsledky vyhledávání
- 1.0521523 - FZÚ 2020 RIV eng P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard - Touš, Jan - Nikl, Martin
Scintillation detector for detection of ionising radiation.
2018. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. - CRYTUR SPOL. S R.O. Datum udělení patentu: 04.09.2018. Číslo patentu: US10067246
Grant CEP: GA TA ČR TH02010580
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: scintillation * detector * GaN * quantum well
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearch-bool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=10067246.PN.&OS=PN/10067246&RS=PN/10067246
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306122 - 2.0520194 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Blažek, K.
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření.
[Scintillation detector for the detection of ionizing radiation.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 06.02.2019. Číslo patentu: 307721
Grant CEP: GA TA ČR TH02010580
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN heterostructure * scintillators * detectors
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307721.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304880 - 3.0520192 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Zíková, Markéta
Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení.
[Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 25.07.2019. Číslo patentu: 307941
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAsSb
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304875 - 4.0519848 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Dominec, Filip
Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu.
[Epitaxial multilayer structure for GaN-based high electron mobility transistors and a transistor containing this structure.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 25.07.2019. Číslo patentu: 307942
Grant CEP: GA TA ČR TH02010014
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307942.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304832 - 5.0519846 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš
Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami.
[Method of producing an epitaxial structure with InGaN quantum wells.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 18.09.2019. Číslo patentu: 308024
Grant CEP: GA TA ČR TH02010580
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN heterostructure * scintillators * detectors
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308024.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304831 - 6.0470001 - FZÚ 2017 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard - Touš, Jan - Nikl, Martin
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření.
[Scintillation detector for detecting ionizing radiation.]
2016. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i - CRYTUR, spol.s r.o. Datum udělení patentu: 18.05.2016. Číslo patentu: 306026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN heterostructure * scintillators
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/306/306026.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267745 - 7.0429421 - FZÚ 2015 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří
GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách.
[Gallium arsenide antimonite layer with graded composition for reducing strain in indium arsenide/gallium arsenide quantum dots.]
2013. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 17.04.2013. Číslo patentu: 303855
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * GaAsSb * strain reducing layer
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0234536