Výsledky vyhledávání
- 1.0132635 - FZU-D 990057 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Cukr, Miroslav - Jiříček, Petr - Zemek, Josef - Bartoš, Igor
Surface electron structure of GaAs(100).
80-227-1010-5. In: New Trends in Surface Analysis. Bratislava: Slovak University of Technology. Faculty of Electrical Engineering and Information Technology. Microelectronics department, 1997 - (Breza, J.; Liday, J.; Frank, L.; Král, J.; Zemek, J.), s. 35-38. Proceedings of the International Seminar.
[NTSA 97 - New Trends in Surface Analysis. Bratislava (SK), 26.11.1997-28.11.1997]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010531
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030646 - 2.0132383 - FZU-D 990331 RIV IL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef - Hubík, Pavel - Cukr, Miroslav
Penetration of electric field through the two-dimensional electron gas in quantum Hall regime.
24 th International Conference on the Physics of Semiconductors. Jerusalem, 1999 - (Gershoni, D.), s. 1. ISBN 981-02-3613-1.
[International Conference on tne Physics of Semiconductors/24./. Jerusalem (IL), 02.08.1998-07.08.1998]
Grant CEP: GA ČR GA202/96/0021; GA AV ČR IAA1010806
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030410 - 3.0130171 - FZU-D 940569 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nachtwei, G. - Breitlow, C. - Seyfarth, J. - Heide, S. - Bliek, L. - Ahlers, F.J. - Svoboda, Pavel - Cukr, Miroslav
Transition from nonlocal to local electron conduction at GaAs/GaAlAs heterojunctions.
General Conference of the Condensed Matter Division European Physical Society /13./. Regensburg: European Physical Society and Deutsche Physikalische Geselschaft, 1993 - (Bethge, K.), s. 1339. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Geselschsft., 17 A.
[General Conference of the Condensed Matter Division European Physical Society /13./. Regensburg (DE), 29.03.1993-02.04.1993]
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028319 - 4.0023779 - FZÚ 2006 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Jackiv, R. - Třebický, T. - Voves, J. - Výborný, Zdeněk - Cukr, Miroslav - Jurka, Vlastimil
Experimental and theoretical study of the I-V bistabilities of resonant tunneling diodes.
[Experimentální a teoretická studie I-V bistabilit u rezonančních tunelovacích.]
Proceedings of the International Conference of Microelectronics /24./. Piscataway: IEEE, 2004 - (Stojanovič, N.), s. 359-362. 1. ISBN 0-7803-8166-1.
[International Conference om Microelectronics /24./. Niš (YU), 16.05.2004-19.05.2004]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS1010004
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: resonant tunneling diode * MBE * I-V characteristics * Wingreen simulator * transfer-matrix method.
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114431