Výsledky vyhledávání
- 1.0356074 - ÚFE 2012 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Grym, Jan - Jarchovský, Zdeněk
MO CVD growth of ZnO with different growth rate.
Conference Proceedings ASDAM 2010. Piscataway: IEEE, 2010 - (Breza, J.; Donoval, D.), s. 187-190. ISBN 978-1-4244-8574-1.
[ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 25.10.2010-27.10.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: ZnO * MOCVD * Growth rate
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194693 - 2.0356059 - ÚFE 2012 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Grym, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk
EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs.
CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010. Ostrava: TANGER, 2010 - (Zbořil, R.), s. 28-33. ISBN 978-80-87294-19-2.
[NANOCON 2010. International Conference /2./. Olomouc (CZ), 12.10.2010-14.10.2010]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: A3B5 * micropores * heteroepitaxy
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194679 - 3.0346193 - ÚFE 2011 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk
MO CVD growth of with different growth rate.
EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 291-294.
[13th European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Ulm (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: ZnO * electrochemical deposition.
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187280 - 4.0030680 - ÚFE 2006 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk
Asymmetric CO pores etching in A3 B5 semiconductors.
[Asymetrie krystalografických pórů v polovodičích A3 B5]
NANO´05. Brno: Brno University of Technology, Faculty of Mechanical Engineering, 2005 - (Šandera, P.), s. 100-105. ISBN 80-214-3085-0.
[NANO '05 - NANEMAT. Brno (CZ), 08.11.2005-10.11.2005]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: III-V semiconductors * porous semiconductors * indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0120391